[發(fā)明專利]背照式圖像傳感器的像素

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210151627.8
• 申請(qǐng)日: 2008-06-27
• 公開（公告）號(hào): CN102709299A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸成炯;李柱日
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 智慧投資II有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種背照式圖像傳感器的像素，所述像素包括：

襯底，具有正上表面和背側(cè)；

光電二極管，配置為響應(yīng)從所述襯底的所述背側(cè)接收的光以產(chǎn)生光電荷，其中所述光電二極管形成在所述襯底的所述正上表面附近；以及

反射柵極，設(shè)置在所述光電二極管之上，并且配置為將從所述襯底的所述背側(cè)接收的光反射到所述光電二極管的前側(cè)，其中所述反射柵極還配置為接收偏壓信號(hào)，以控制所述光電二極管的耗盡區(qū)的范圍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，還包括轉(zhuǎn)移晶體管，所述轉(zhuǎn)移晶體管配置為將所述光電荷轉(zhuǎn)移到浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素，其中所述轉(zhuǎn)移晶體管包括與所述反射柵極間隔開的轉(zhuǎn)移柵極，并且所述轉(zhuǎn)移柵極和所述反射柵極設(shè)置為與所述襯底的所述正上表面相距實(shí)質(zhì)上相同的距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素，其中所述轉(zhuǎn)移晶體管包括緩沖區(qū)域，所述緩沖區(qū)域形成在所述襯底中并且與所述反射柵極的邊緣垂直地對(duì)準(zhǔn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素，其中所述轉(zhuǎn)移柵極的一部分與所述反射柵極重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述反射柵極包括堆疊層結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素，其中所述堆疊層結(jié)構(gòu)包括：

多晶硅層；以及

金屬層，相鄰于所述多晶硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素，其中所述金屬層包括硅化鎢層。

9.根據(jù)權(quán)利要去7所述的像素，其中所述金屬層包括鎢。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述反射柵極包括單層結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素，其中所述單層結(jié)構(gòu)包括金屬硅化物層或者金屬層。