[發明專利]薄膜晶體管的制造方法有效
| 申請號： | 201210151604.7 | 申請日： | 2006-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN102709313A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 廣瀨篤志 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 王永剛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 制造 方法 | ||
1.一種圓形薄膜晶體管，包括：
在襯底之上的圓形電極；
在所述圓形電極之上的絕緣層；
在第一絕緣層之上的圓形半導體層；
與所述圓形半導體層的中央部分交疊的源電極；以及
覆蓋所述圓形半導體層的外圍部分的漏電極，所述漏電極圍繞所述源電極，
其中所述圓形電極和所述圓形半導體層以同心的方式堆疊。
2.一種圓形薄膜晶體管，包括：
第一絕緣層，具有其形狀為圓形的開口；
在所述開口中的圓形半導體層；
在所述第一絕緣層和所述圓形半導體層之上的第二絕緣層；
在所述第二絕緣層之上的圓形半導體層；
與所述圓形半導體層的中央部分交疊的源電極；以及
覆蓋所述圓形半導體層的外圍部分的漏電極，所述漏電極圍繞所述源電極，
其中所述第一絕緣層、所述圓形電極和所述圓形半導體層以同心的方式堆疊。
3.一種圓形薄膜晶體管，包括：
在襯底之上的圓形半導體層；
與所述圓形半導體層的中央部分交疊的源電極；
覆蓋所述圓形半導體層的外圍部分的漏電極，所述漏電極圍繞所述源電極，
在所述圓形半導體層和所述漏電極之上的絕緣層；
在所述絕緣層之上的圓形電極；
其中所述圓形電極和所述圓形半導體層以同心的方式堆疊。
4.一種圓形薄膜晶體管，包括：
在襯底之上的圓形半導體層；
與所述圓形半導體層的中央部分交疊的源電極；
覆蓋所述圓形半導體層的外圍部分的漏電極，所述漏電極圍繞所述源電極，
在所述圓形半導體層和所述漏電極之上的第一絕緣層，所述第一絕緣層具有第一開口；
在所述絕緣層之上的圓形電極；以及
在所述第一絕緣層和所述圓形電極之上的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有第二開口，
其中所述圓形半導體層、所述第一開口、所述圓形電極和所述第二開口以同心的方式堆疊，以及
其中所述源電極在所述第一開口和所述第二開口中。
5.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，其中所述漏電極覆蓋在所述圓形半導體層的邊沿上。
6.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，其中所述圓形半導體層包括晶體。
7.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，其中所述圓形電極具有橢圓形形狀。
8.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，其中在所述圓形半導體層中的溝道部分具有同心圓形狀。
9.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，還包括在所述圓形半導體層上的半導體層。
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