[發明專利]半導體器件及包括該半導體器件的集成電路

有效

• 申請號: 201210151465.8
• 申請日: 2012-05-15
• 公開（公告）號: CN102800702A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 弗朗茨·赫爾萊爾;安東·毛德;約阿希姆·魏爾斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/49;H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種半導體器件，包括：

源極金屬化物；

半導體本體，包括：第一場效應結構，包括電耦接至所述源極金屬化物的第一導電類型的源區；和第二場效應結構，包括電耦接至所述源極金屬化物的所述第一導電類型的源區；以及

電壓抽頭，包括在所述半導體本體內的半導體區，通過中間反相器結構電耦接至所述第一場效應結構的第一柵電極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一效應結構的源區和所述第二場效應結構的源區短路。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括第一多個所述第一場效應結構和第二多個所述第二場效應結構的單元陣列，其中，所述第二多個大于所述第一多個。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述單元陣列的5%至60%的單元包括所述第一場效應結構和所述第二場效應結構，并且其中，所述單元陣列的其余單元包括所述第二場效應結構，但是不包括所述第一場效應結構。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第一場效應結構具有包括第一柵電極、第一柵極絕緣體和第一體區的第一電容；

所述第二場效應結構具有包括第二柵電極、第二柵極絕緣體和第二體區的第二電容；并且

每單位面積的所述第一電容大于每單位面積的所述第二電容。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述第二柵電極和所述第二體區之間的所述第二柵極絕緣體的厚度大于所述第一柵電極和所述第一體區之間的所述第一柵極絕緣體的厚度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體器件是具有在50V至1500V范圍內的電壓閉鎖能力的垂直金屬氧化物半導體場效應晶體管。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體器件是反向導通絕緣柵雙極晶體管的一部分。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一場效應結構和所述第二場效應結構共用公共漏極。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電壓抽頭的所述半導體區是邊緣終端結構的電浮動半導體區。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，所述邊緣終端結構是保護環結構。

12.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，所述邊緣終端結構是結終端延伸結構的一部分。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電壓抽頭的所述半導體區鄰接所述半導體本體的表面。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電壓抽頭被配置為在所述半導體本體內的比所述第二場效應結構的本體區的底側深的位置分接電壓。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一場效應結構的第一柵電極和所述第二場效應結構的第二柵電極是布置在所述半導體本體的表面上方的平面柵電極。

16.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一場效應結構的第一柵電極和所述第二場效應結構的第二柵電極布置在延伸到所述半導體本體中的溝槽內。

17.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電壓抽頭電耦接至所述反相器結構的輸入端，并且所述第一場效應結構的第一柵電極電耦接至所述反相器結構的輸出端。

18.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一場效應結構的所述第一柵電極和所述第二場效應結構的第二柵電極電斷開。

19.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電壓抽頭的所述半導體區是耗盡晶體管的源區，所述耗盡晶體管包括：

漏區；

溝道區，布置在所述源區和所述漏區之間，其中，所述源區、所述漏區和所述溝道區是所述第一導電類型；

柵電極，布置為與所述溝道區相鄰，并且通過柵極電介質與所述溝道區介質絕緣；以及

第二導電類型的第一放電區布置為與所述柵極電介質相鄰，并電耦接至基準電勢的終端。