[發明專利]一種基于嵌入式電極側向場激勵的FBAR及其制作方法

無效

• 申請號: 201210150828.6
• 申請日: 2012-05-15
• 公開（公告）號: CN102664602A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 金浩;朱琦;周劍;馮斌;王德苗
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H3/02
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種基于嵌入式電極側向場激勵的FBAR，其特征在于：包括由襯底和鋪設于襯底底部的掩膜層構成的襯底層，所述的襯底頂部鋪設有支撐膜層，所述的襯底層開有通孔，所述的支撐膜層上鋪設有壓電薄膜層，所述的壓電薄膜層上對應通孔的區域內嵌有至少一對金屬電極。

2.根據權利要求1所述的基于嵌入式電極側向場激勵的FBAR，其特征在于：所述的壓電薄膜層采用氮化鋁或氧化鋅制成。

3.根據權利要求1所述的基于嵌入式電極側向場激勵的FBAR，其特征在于：所述的壓電薄膜層的厚度為200~5000nm，支撐膜層的厚度為100~300nm。

4.根據權利要求1所述的基于嵌入式電極側向場激勵的FBAR，其特征在于：所述的金屬電極采用鋁制金屬電極或鉬制金屬電極。

5.根據權利要求1所述的基于嵌入式電極側向場激勵的FBAR，其特征在于：所述的金屬電極的寬度為5~40μm。

6.根據權利要求1所述的基于嵌入式電極側向場激勵的FBAR，其特征在于：所述的金屬電極嵌入至壓電薄膜層的深度為50~200nm，金屬電極的厚度為50~200nm。

7.根據權利要求1所述的基于嵌入式電極側向場激勵的FBAR，其特征在于：任一對金屬電極的兩個金屬電極均為平行并排設置，且間距為5~40μm。

8.一種如權利要求1所述的FBAR的制作方法，包括如下步驟：

（1）選取襯底，對襯底清洗后烘干；

（2）利用LPCVD技術在襯底的頂面和底面分別生長一層薄膜；其中，生長于襯底頂面的薄膜作為支撐膜層，生長于襯底底面的薄膜作為掩膜層；

（3）利用RIE技術在掩膜層上干法刻蝕出一腐蝕窗；然后用氫氧化鉀溶液對腐蝕窗區域內的襯底進行濕法刻蝕，直至襯底剩余厚度為10-20μm之間；

（4）利用反應磁控濺射技術在支撐膜層上沉積一層薄膜作為壓電薄膜層；然后在壓電薄膜層上均勻涂覆正性抗蝕劑，進而在壓電薄膜層上對應腐蝕窗的區域內光刻出至少一對電極窗口，且保留在壓電薄膜層除電極窗口以外的區域上的正性抗蝕劑；

（5）利用RIE技術對壓電薄膜層進行干法刻蝕，從而在電極窗口處對應刻蝕出坑槽；然后在壓電薄膜層上沉積金屬，從而在坑槽內形成嵌入式的金屬電極；

（6）用腐蝕溶液溶解壓電薄膜層上的正性抗蝕劑，沉積在正性抗蝕劑上的金屬會隨正性抗蝕劑的溶解而剝離；最后利用ICP技術干法刻蝕掉腐蝕窗區域內剩余厚度的襯底。