[發明專利]一種超高壓BCD半導體工藝以及超高壓BCD器件

有效

• 申請號: 201210150791.7
• 申請日: 2012-05-15
• 公開（公告）號: CN102664181A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 呂宇強;邵凱;陳雪萌;楊海波
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/8249
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種超高壓BCD半導體工藝實現的集成器件，其特征在于，器件包括：做在N型外延上的高壓LDMOS、高壓浮動盆結構、低壓PMOS管、低壓NMOS管、低壓VNPN管、VDNMOS、齊納二極管、低壓NLDMOS、LPNP以及對稱的漏極延伸EDPMOS，所述集成器件具有N型埋層，所述N型埋層貫穿P型襯底以及所述N型外延，高低壓結構之間形成有PN結對通隔離結構；

所述高壓浮動盆結構包括多個P-top環，位于N阱內的高壓N+以及N型埋層，所述多個P-top環和所述高壓N+均位于N型外延內，所述高壓浮動盆結構以其中心左右對稱。

2.根據權利要求1所述的超高壓BCD半導體器件，其特征在于，所述高壓LDMOS包括多個P-top環、第一類高壓N+層次形成的源、漏極區以及P型PBD體區，所述P型PBD體區內包含有第二類高壓N+層次形成的源極以及形成PBD的歐姆接觸引出的源漏P+區，所述第二類高壓N+層次形成的源極與所述源漏P+區接觸，并且所述源漏P+區全部外露于接觸窗口，所述第二類高壓N+部分外露于接觸窗口，所述高壓LDMOS以所述第一類高壓N+層次形成的漏極為中心左右對稱。

3.根據權利要求1所述的超高壓BCD半導體器件，其特征在于，所述低壓VNPN管，其N阱內具有第一類高壓N+集電極，其P型PBD基區內包含有第二類高壓N+層次形成的源區以及形成PBD歐姆接觸引出的源漏P+區，并且所述第二類高壓N+和所述源漏P+區具有各自的接觸窗口。

4.根據權利要求1所述的超高壓BCD半導體器件，其特征在于，所述齊納二極管包括高壓N+,多個深P阱以及N型埋層,所述多個深P阱相互交疊以降低寄生電阻，并且分別與所述N型埋層交疊。

5.根據權利要求1所述的超高壓BCD半導體器件，其特征在于，所述低壓NLDMOS，其P型PBD內包含有第二類高壓N+層次形成的源區以及形成PBD歐姆接觸引出的源漏P+區，其N型輕摻雜漏極區內具有第一類高壓N+漏區，所述P型PBD與所述N型輕摻雜漏極區均包含在N阱內，所述低壓NLDMOS以所述高壓N+漏極為中心左右對稱。

6.根據權利要求1所述的超高壓BCD半導體器件，其特征在于，所述LPNP包含有低壓源漏N+作為N阱的基區引出、P型PBD作為發射極和集電極，所述低壓源漏N+以及P型PBD均包含在N阱內，并且所述LPNP以其發射極為中心左右對稱。

7.根據權利要求1所述的超高壓BCD半導體器件，其特征在于，所述對稱的漏極延伸EDPMOS包含有低壓源漏N+作為N阱引出、P型PBD作為漏極延伸，所述P型PBD內包含有源漏P+區，低壓源漏N+以及P型PBD均包含在N阱內。

8.根據權利要求1所述的超高壓BCD半導體器件，其特征在于，所述PN結對通隔離結構包括相互交疊的深P阱與P型埋層。

9.根據權利要求8所述的超高壓BCD半導體器件，其特征在于，所述深P阱與P型埋層的摻雜貫通N型外延形成對通隔離。

10.根據權利要求1所述的超高壓BCD半導體器件，其特征在于，所述N型外延的厚度為5~25微米。