[發明專利]一種在光子晶體中引入缺陷的方法

有效

• 申請號: 201210149602.4
• 申請日: 2012-05-15
• 公開（公告）號: CN102707379A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 宋李煙;王自鑫;謝向生;周建英
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: G02B6/138
• 分類號: G02B6/138;G02B6/13
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 林麗明;林偉斌

1.一種在光子晶體中引入缺陷結構的方法，包括以下步驟：

（1）取折射率和光刻膠相近且不相等的均勻液體滴在階梯型薄膜的膜層階梯處，階梯型薄膜在和光刻膠相接的空氣隙里均勻展開并吸附在一起，組成階梯膜曝光系統；?

（2）使用全息光刻光路制備光子晶體，將階梯膜曝光系統調節到全息光刻光路的焦平面處；?

（3）利用CCD對相干光強模式進行實時監控；?

（4）重復步驟（2）和（3），直到在CCD中觀察到的光強分布達到對比度最大，表明此時的二維干涉模式質量最好；打開全息光刻光路的激光進行曝光，根據利用光刻膠的曝光劑量和曝光深度的相關數據，反推到相干光強，并結合相干區域光斑的面積大小，最終確定曝光時間；?

（5）曝光完成后，對階梯型薄膜進行顯影，除去因曝光劑量不足而未固化部分，得到缺陷結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述均勻液體的折射率與光刻膠的折射率相差+10%。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述全息光刻光路包括兩個消色差透鏡（L1、L2）組成的4f系統，使光束匯聚在一個大面積的相干區域，且光刻膠的位置位于第二消色差透鏡（L2）焦平面處。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，光刻膠為SU8光刻膠。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述階梯膜的制備方法包括以下步驟：

（a）利用硅片的自然解理面為模板；

（b）離子均勻鍍在硅片基底上，形成階梯型膜層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟（b）中利用利用高溫磁控濺鍍。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述膜層不大于5μm。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述階梯型薄膜，膜層梯度為90°+5°。