[發明專利]開口的形成方法和堆疊結構

有效

• 申請號: 201210149357.7
• 申請日: 2012-05-14
• 公開（公告）號: CN103426749A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 張海洋;胡敏達
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種開口的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成超低K介質層；

在所述超低K介質層表面形成刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層表面形成拉應力材料層；

在所述拉應力材料層表面形成氮化鈦金屬硬掩膜層；

刻蝕所述氮化鈦金屬硬掩膜層和拉應力材料層，形成第一開口，所述第一開口暴露刻蝕停止層表面；以所述氮化鈦金屬硬掩膜層和拉應力材料層為掩膜，沿第一開口刻蝕所述刻蝕停止層和超低K介質層，形成第二開口。

2.如權利要求1所述的開口的形成方法，其特征在于，所述拉應力材料層的材料為氮化鋁或拉應力的氮化硅。

3.如權利要求2所述的開口的形成方法，其特征在于，所述鈦金屬硬掩膜層和拉應力材料層的總厚度為50~500埃。

4.如權利要求2所述的開口的形成方法，其特征在于，所述拉應力材料層的材料為氮化鋁時，所述鈦金屬硬掩膜層的厚度與拉應力材料層厚度的比例范圍為0.7~1.7。

5.如權利要求2所述的開口的形成方法，其特征在于，所述拉應力材料層的材料為拉應力的氮化硅時，所述鈦金屬硬掩膜層的厚度與拉應力材料層厚度的比例范圍為0.8~1.5。

6.如權利要求2所述的開口的形成方法，其特征在于，所述拉應力材料層的材料為拉應力的氮化硅時，所述拉應力材料層的拉應力為0~1500Mpa。

7.如權利要求1所述的開口的形成方法，其特征在于，所述刻蝕停止層和超低K介質層之間還形成有碳化硅層。

8.如權利要求7所述的開口的形成方法，其特征在于，所述超低K介質層和碳化硅層的形成方法為：在所述基底上形成超低K介質材料層；在所述超低K介質材料層表面形成碳化硅材料層；平坦化所述碳化硅材料層，形成碳化硅層和超低K介質層。

9.如權利要求7所述的開口的形成方法，其特征在于，所述碳化硅層的厚度為10~200埃。

10.如權利要求1所述的開口的形成方法，其特征在于，所述刻蝕停止層為無氮抗反射涂層。

11.如權利要求1所述的開口的形成方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的厚度為50~500埃。

12.一種堆疊結構，其特征在于，包括：

基底，位于基底上的超低K介質層；

位于超低K介質層表面的刻蝕停止層；

位于刻蝕停止層表面的拉應力材料層；

位于拉應力材料層表面的氮化鈦金屬硬掩膜層。

13.如權利要求12所述的堆疊結構，其特征在于，所述拉應力材料層的材料為氮化鋁或拉應力的氮化硅。

14.如權利要求13所述的堆疊結構，其特征在于，所述鈦金屬硬掩膜層和拉應力材料層的總厚度為50~500埃。

15.如權利要求13所述的堆疊結構，其特征在于，所述拉應力材料層的材料為氮化鋁時，所述鈦金屬硬掩膜層的厚度與拉應力材料層厚度的比例范圍為0.7~1.7。

16.如權利要求13所述的堆疊結構，其特征在于，所述拉應力材料層的材料為拉應力的氮化硅時，所述鈦金屬硬掩膜層的厚度與拉應力材料層厚度的比例范圍為0.8~1.5。

17.如權利要求13所述的堆疊結構，其特征在于，所述拉應力材料層的材料為拉應力的氮化硅時，所述拉應力材料層的拉應力為0~1500Mpa。

18.如權利要求12所述的堆疊結構，其特征在于，所述刻蝕停止層和超低K介質層之間還形成有碳化硅層。

19.如權利要求18所述的堆疊結構，其特征在于，所述碳化硅層的厚度為10~200埃。

20.如權利要求12所述的堆疊結構，其特征在于，所述刻蝕停止層為無氮抗反射涂層。