[發(fā)明專利]像素重新生成設(shè)備和使用該設(shè)備的像素重新生成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210149047.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102779953A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金仙株;李浚政;元載雄;柳旲坤;韓己善;宋宙延;沁明星;李真遠(yuǎn);李天載;李孝成;樸愿緒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社COWINDST |
| 主分類號(hào): | H01L51/56 | 分類號(hào): | H01L51/56;B23K26/06 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 重新 生成 設(shè)備 使用 方法 | ||
1.一種用于重新生成像素的方法,包括:第一步,將包括第一電極和第二電極的有機(jī)發(fā)光二極管排列在平臺(tái)上,所述第一電極和所述第二電極形成于基板上,以將有機(jī)發(fā)光層置于所述第一電極和所述第二電極之間并使所述第一電極和所述第二電極彼此交叉;和
第二步,通過(guò)使用像素重新生成設(shè)備將激光照射到所述第一電極和所述第二電極之間的所述有機(jī)發(fā)光層中存在導(dǎo)電粒子的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二步是將激光照射到存在所述導(dǎo)電粒子的區(qū)域并粉碎所述導(dǎo)電粒子或?qū)⑺鰧?dǎo)電粒子與所述第一電極或所述第二電極分離,從而允許除了具有所述導(dǎo)電粒子的區(qū)域之外的剩余的像素區(qū)發(fā)光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二步是:直接將激光照射到所述導(dǎo)電粒子,并粉碎所述導(dǎo)電粒子本身或?qū)⑺鰧?dǎo)電粒子與所述電極分離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二步是:將激光照射到具有所述導(dǎo)電粒子的區(qū)域的外圍電極,切割電極,并將所述導(dǎo)電粒子與所述電極電隔離,使得執(zhí)行正常操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述第二步是:將激光照射為比所述導(dǎo)電粒子的尺寸大,并將所述導(dǎo)電粒子與所述有機(jī)發(fā)光層分離,使得像素正常操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法,其中,所述像素重新生成設(shè)備照射的激光具有小于10ns的脈沖寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,所述像素重新生成設(shè)備照射的激光在所述有機(jī)發(fā)光二極管不包括極化板的情況下具有超過(guò)300nm的波長(zhǎng),并且在所述有機(jī)發(fā)光二極管包括所述極化板的情況下具有超過(guò)420nm的波長(zhǎng)。
8.一種用于如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的重新生成所述有機(jī)發(fā)光二極管的像素的方法的像素重新生成設(shè)備,該設(shè)備包括:激光振蕩部件,用于使激光光束振蕩;光束傳輸部件,用于轉(zhuǎn)換由所述激光振蕩部件照射的激光光束的方向,并將激光光束透射到有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光層;光束尺寸控制部件,用于改變激光光束的尺寸;和圖像部件,用于實(shí)時(shí)拍攝所述有機(jī)發(fā)光層的圖像。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中,所述光束尺寸控制部件包括:由馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的狹縫;能夠確認(rèn)所述狹縫的尺寸和位置的狹縫照明光源;和改變由所述狹縫照明光源投射的光的路徑的狹縫照明用鏡。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備,還包括:掃描器,用于掃描存在導(dǎo)電粒子的區(qū)域中的激光光束;和控制光束加工表面的裝置,用于過(guò)濾激光光束,使得在加速區(qū)和減速區(qū),被掃描激光光束不照射到所述有機(jī)發(fā)光層上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
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- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
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- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





