[發(fā)明專利]導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210148999.5
• 申請(qǐng)日: 2012-05-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103422057A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C23C14/35;H05B33/26;H05B33/10
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平;生啟

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料，特別是涉及導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)

導(dǎo)電薄膜電極是有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED）的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個(gè)器件的發(fā)光效率。其中，摻鋁的氧化鋅（AZO）、摻鎵的氧化鋅（GZO）或摻銦的氧化鋅（IZO）是近年來(lái)研究最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見(jiàn)光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜陽(yáng)極具有較高的表面功函數(shù)。而鋁、鎵和銦摻雜的氧化鋅的功函數(shù)一般只有4.3eV，經(jīng)過(guò)UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達(dá)到4.5~5.1eV，與一般的有機(jī)發(fā)光層的HOMO能級(jí)（典型的為5.7～6.3eV）還有比較大的能級(jí)差距，造成載流子注入勢(shì)壘的增加，妨礙發(fā)光效率的提高。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)導(dǎo)電薄膜功函數(shù)較低的問(wèn)題，提供一種功函數(shù)較高的導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。

一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的MZO層及Cu_1-xNi_xO層，其中，0.01≤x≤0.15，所述MZO為摻鋁的氧化鋅、摻鎵的氧化鋅或摻銦的氧化鋅。

一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將MZO靶材、Cu_1-xNi_xO靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，0.01≤x≤0.15，所述MZO靶材為摻鋁的氧化鋅靶材、摻鎵的氧化鋅靶材或摻銦的氧化鋅靶材；

在所述襯底表面濺鍍MZO層，濺鍍所述MZO層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm~95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為10sccm~35sccm，襯底溫度為250℃~750℃；

在所述MZO層表面濺鍍Cu_1-xNi_xO層，濺鍍所述Cu_1-xNi_xO層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm~95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為10sccm~35sccm，襯底溫度為250℃~750℃；及

剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述MZO層的厚度為50nm~300nm，所述Cu_1-xNi_xO層的厚度為0.5nm~5nm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述MZO靶材由以下步驟得到：將ZnO和M₂O₃粉體混合均勻，其中，M為Al、Ga或In，M₂O₃的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為0.5%~10％，將混合均勻的粉體在900℃~1300℃下燒結(jié)制成靶材。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述Cu_1-xNi_xO靶材由以下步驟得到：根據(jù)Cu_1-xNi_xO各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取CuO和NiO粉體并混合均勻后在800℃~1200℃下燒結(jié)制成靶材。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，包括依次層疊的襯底、MZO層及Cu_1-xNi_xO層，其中，0.01≤x≤0.15，所述MZO為摻鋁的氧化鋅、摻鎵的氧化鋅或摻銦的氧化鋅。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，包括以下步驟：

將MZO靶材、Cu_1-xNi_xO靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，0.01≤x≤0.15，所述MZO靶材為摻鋁的氧化鋅靶材、摻鎵的氧化鋅靶材或摻銦的氧化鋅靶材；

在所述襯底表面濺鍍MZO層，濺鍍所述MZO層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm~95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為10sccm~35sccm，襯底溫度為250℃~750℃；