[發明專利]激光二極管泵浦多晶體調Q激光器

無效

• 申請號: 201210148337.8
• 申請日: 2012-05-15
• 公開（公告）號: CN103427322A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 李斌;孫冰
• 申請（專利權）人: 天津梅曼激光技術有限公司
• 主分類號: H01S3/0941
• 分類號: H01S3/0941;H01S3/06;H01S3/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種激光二極管泵浦多晶體調Q激光器，包括：激光二極管、傳能光纖、耦合系統、激光增益介質、Q開關、全反射鏡和激光輸出鏡，其特征在于：上述激光增益介質由第一激光增益介質和第二激光增益介質構成，在光路傳導方向上，第一激光增益介質設置在第二激光增益介質之前；激光二極管(1)發出泵浦光經過傳能光纖(2)和耦合系統(3)聚焦后傳輸到第一激光增益介質(5)和第二激光增益介質(6)中，并對上述兩塊激光增益介質進行泵浦，第一激光增益介質(5)和第二激光增益介質(6)產生自發輻射，通過全反射鏡(4)及激光輸出鏡(8)的反饋及模式選擇，形成受激發射，在Q開關(7)的調制作用下，產生脈沖激光，并由輸出鏡(8)輸出。

2.根據權利要求1所述的激光二極管泵浦多晶體調Q激光器，其特征在于：上述激光二極管(1)的中心波長為808nm、879nm、880nm、885nm、888nm、914nm、940nm、976nm或912nm之中的任一種。

3.根據權利要求1所述的激光二極管泵浦多晶體調Q激光器，其特征在于：第一激光增益介質(5)的上能級壽命長且發射截面小。

4.根據權利要求3所述的激光二極管泵浦多晶體調Q激光器，其特征在于：構成第一激光增益介質(5)的材料是Nd:YAG晶體、Nd:GGG晶體、Nd:YLF晶體、Yb:YAG晶體之中的任一種。

5.根據權利要求1或3所述的激光二極管泵浦多晶體調Q激光器，其特征在于：第二激光增益介質(6)的上能級壽命短且發射截面大。

6.根據權利要求5所述的激光二極管泵浦多晶體調Q激光器，其特征在于：構成第二激光增益介質(6)的材料是Nd:YVO₄晶體、Nd:GdVO₄晶體、Nd:LVO₄晶體之中的任一種。

7.根據權利要求1所述的激光二極管泵浦多晶體調Q激光器，其特征在于：Q開關(7)為聲光Q開關、電光Q開關或被動Q開關之中的任一種。

8.根據權利要求1所述的激光二極管泵浦多晶體調Q激光器，其特征在于：第一激光增益介質(6)的上能級壽命短且發射截面大，構成第一激光增益介質(6)的材料是Nd:YVO₄晶體、Nd:GdVO₄晶體、Nd:LVO₄晶體之中的任一種；第二激光增益介質(5)的上能級壽命長且發射截面小，構成第二激光增益介質(5)的材料是Nd:YAG晶體、Nd:GGG晶體、Nd:YLF晶體、Yb:YAG晶體之中的任一種。