[發(fā)明專利]顯示裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210147804.5
• 申請(qǐng)日: 2007-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102709242A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田中幸一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 馮雅

1.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在導(dǎo)電層上設(shè)置掩模的多個(gè)凸部，所述掩模通過(guò)設(shè)置多個(gè)凸部在帶有多個(gè)開(kāi)口的支承基板上而形成；

在所述導(dǎo)電層上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開(kāi)口；以及

形成導(dǎo)電膜，使所述導(dǎo)電膜在所述絕緣膜的開(kāi)口中與所述導(dǎo)電層接觸。

2.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括柵電極層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極層及漏電極層的薄膜晶體管；

在所述源電極層或所述漏電極層上設(shè)置掩模的多個(gè)凸部，所述掩模通過(guò)設(shè)置多個(gè)凸部在帶有多個(gè)開(kāi)口的支承基板上而形成；

在具有所述源電極層和所述漏電極層的所述薄膜晶體管上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開(kāi)口；以及

形成像素電極層，使所述像素電極層在所述絕緣膜的開(kāi)口中與所述源電極層或所述漏電極層接觸。

3.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括柵電極層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極層及漏電極層的薄膜晶體管；

在所述源電極層或所述漏電極層上設(shè)置掩模的多個(gè)凸部，所述掩模通過(guò)設(shè)置多個(gè)凸部在帶有多個(gè)開(kāi)口的支承基板上而形成；

在具有所述源電極層和所述漏電極層的所述薄膜晶體管上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開(kāi)口；

形成第一電極層，使第一電極層在所述絕緣膜的開(kāi)口中與所述源電極層或所述漏電極層接觸；

在所述第一電極層上形成場(chǎng)致發(fā)光層；以及

在所述場(chǎng)致發(fā)光層上形成第二電極層。

4.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括柵電極層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極層及漏電極層的薄膜晶體管；

在所述源電極層或所述漏電極層上設(shè)置掩模的多個(gè)凸部，所述掩模通過(guò)設(shè)置多個(gè)凸部在帶有多個(gè)開(kāi)口的支承基板上而形成；

在具有所述源電極層和所述漏電極層的所述薄膜晶體管上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開(kāi)口；

形成第一電極層，使第一電極層在所述絕緣膜的開(kāi)口中與所述源電極層或所述漏電極層接觸；

在所述第一電極層上形成電泳元件；以及

在所述電泳元件上形成第二電極層。

5.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括柵電極層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極層及漏電極層的薄膜晶體管；

在所述源電極層或所述漏電極層上設(shè)置掩模的多個(gè)凸部，所述掩模通過(guò)設(shè)置多個(gè)凸部在帶有多個(gè)開(kāi)口的支承基板上而形成；

在具有所述源電極層和所述漏電極層的所述薄膜晶體管上形成絕緣膜；

去除所述掩模，在所述絕緣膜中形成開(kāi)口；

形成第一電極層，使第一電極層在所述絕緣膜的開(kāi)口中與所述源電極層或所述漏電極層接觸；

在所述第一電極層上形成第二電極層；以及

在第一電極層和第二電極層之間配置涂成黑色和白色的球形粒子。

6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述絕緣膜通過(guò)蒸鍍法、濺射法或化學(xué)氣相沉積法形成。

7.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩模的多個(gè)凸部中的其中一個(gè)為針狀。

8.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩模通過(guò)蝕刻去除。

9.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成包括源區(qū)及漏區(qū)的半導(dǎo)體層；

在所述源區(qū)及所述漏區(qū)上設(shè)置掩模的多個(gè)凸部，所述掩模通過(guò)設(shè)置多個(gè)凸部在帶有多個(gè)開(kāi)口的支承基板上而形成；

在所述源區(qū)及所述漏區(qū)上形成第一絕緣膜；

去除所述掩模形成具有第一開(kāi)口的柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵電極層；

在所述第一開(kāi)口中設(shè)置所述掩模的多個(gè)凸部；

在具有所述源區(qū)及所述漏區(qū)的所述半導(dǎo)體層以及所述柵電極層上形成第二絕緣膜；

去除所述掩模，形成具有第二開(kāi)口的絕緣層。

10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜通過(guò)蒸鍍法、濺射法或化學(xué)氣相沉積法形成。

11.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩模的多個(gè)凸部中的其中至少一個(gè)為針狀。