[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210147554.5
• 申請(qǐng)日: 2012-05-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103390549B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅軍;鄧堅(jiān);趙超;李俊峰;陳大鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336
• 代理公司: 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括步驟：

在襯底上形成柵極堆疊結(jié)構(gòu)；

在柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源漏區(qū)和柵極側(cè)墻；

在源漏區(qū)上淀積第一金屬層；

執(zhí)行第一退火，使得第一金屬層與源漏區(qū)反應(yīng)，外延生長(zhǎng)形成第一金屬硅化物；

在第一金屬硅化物上淀積第二金屬層，第二金屬層的厚度大于第一金屬層的厚度；

執(zhí)行第二退火，使得第二金屬層與第一金屬硅化物及源漏區(qū)反應(yīng)，形成第二金屬硅化物。

2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，柵極側(cè)墻包括氧化物、氮化物及其組合。

3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，形成源漏區(qū)和柵極側(cè)墻的步驟進(jìn)一步包括：

以柵極堆疊結(jié)構(gòu)為掩膜，執(zhí)行第一源漏離子注入，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成輕摻雜的源漏延伸區(qū)；

在柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底上形成柵極側(cè)墻；

以柵極側(cè)墻為掩膜，執(zhí)行第二源漏離子注入，在柵極側(cè)墻兩側(cè)的襯底中形成重?fù)诫s源漏區(qū)；

退火，激活摻雜離子。

4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，襯底包括體Si、SOI。

5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，第一金屬層和/或第二金屬層為鎳基金屬層，包括Ni、Ni-Pt、Ni-Co、Ni-Pt-Co。

6.如權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，第一金屬層中非Ni元素的總含量小于等于10％。

7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，第一金屬層厚度為0.5～5nm。

8.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，第二金屬層厚度為1～100nm。

9.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，第一金屬硅化物厚度為1～9nm。

10.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，第一金屬硅化物包括NiSi_2-y、NiPtSi_2-y、NiCoSi_2-y、NiPtCoSi_2-y，其中0≤y<1。

11.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，第二金屬硅化物包括NiSi、NiPtSi、NiCoSi、NiPtCoSi。