[發明專利]半導體發光元件及覆晶式封裝元件

有效

• 申請號: 201210147492.8
• 申請日: 2012-05-14
• 公開（公告）號: CN103426987A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 李允立;吳志凌;黃逸儒;羅玉云
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種半導體發光元件，其特征在于，包括：

第一態摻雜半導體層，具有平臺部與下陷部，其中該平臺部的厚度大于該下陷部的厚度；

第二態摻雜半導體層，配置于該平臺部上，

發光層，配置于該第一態摻雜半導體層與該第二態摻雜半導體層之間；

第一反射層，配置于該第二態摻雜半導體層上；以及

第二反射層，配置于該第一反射層上，且覆蓋至少部分該第一反射層，其中該第二反射層的反射率大于98％，

其中，沿著垂直于該發光層的觀察方向來看，至少部分的該第二反射層與該第一反射層不重疊。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中該第二反射層為圖案化金屬反射層。

3.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其中該圖案化金屬反射層包括第一金屬反射部及第二金屬反射部，分別電性連接至該第一態摻雜半導體層與該第二態摻雜半導體層，其中該第一金屬反射部與該第二金屬反射部彼此分離配置。

4.根據權利要求3所述的半導體發光元件，還包括絕緣層，配置于該第二反射層與該第一反射層之間，其中該絕緣層具有至少一第一開口與至少一第二開口，該第一金屬反射部披覆該第一開口而與該第一態摻雜半導體層電性連接，且該第二金屬反射部披覆該第二開口而與該第二態摻雜半導體層電性連接。

5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中該平臺部具有：

第一表面，背對該發光層；

第二表面，相對于該第一表面，且朝向該發光層；

第一側壁面，連接該第二表面與該下陷部；以及

第二側壁面，連接該第一表面與該第二表面，其中以平行于該發光層的觀察方向來看，該第二反射層進一步覆蓋至少部分該第一側壁面，且覆蓋至少部分該第二側壁面。

6.根據權利要求1所述的半導體發光元件，

其中還包括歐姆接觸層，配置于該第二態摻雜半導體層與該第一反射層之間。

7.根據權利要求6所述的半導體發光元件，還包括障礙層，配置于該第一反射層之上，且覆蓋至該歐姆接觸層。

8.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中該第二反射層為圖案化分布式布拉格反射層。

9.根據權利要求8所述的半導體發光元件，其中該圖案化分布式布拉格反射層具有至少一第一開口與至少一第二開口，且該半導體發光元件還包括：

第一金屬接點，配置于該圖案化分布式布拉格反射層上，且經由該第一開口電性連接至該第一態摻雜半導體層；以及第二金屬接點，配置于該圖案化分布式布拉格反射層上，且經由該第二開口電性連接至該第二態摻雜半導體層。

10.一種覆晶式封裝元件，其特征在于，包括：

線路基板；以及

半導體發光元件，倒覆于該線路基板而與其電性連接，該半導體發光元件包括：

第一態摻雜半導體層，具有平臺部與下陷部，其中該平臺部之厚度大于該下陷部的厚度；

第二態摻雜半導體層，配置于該平臺部上，

發光層，配置于該第一態摻雜半導體層與該第二態摻雜半導體層之間；

第一反射層，配置于該第二態摻雜半導體層上；

第二反射層，配置于該第一反射層上，其中該第二反射層的反射率大于98％；

第一金屬接點，配置于該第二反射層上，且電性連接至該第一態摻雜半導體層；以及

第二金屬接點，配置于該第二反射層上，且電性連接至該第二態摻雜半導體層；

其中，沿著垂直于該發光層的觀察方向來看，至少部分的該第二反射層與該第一反射層不重疊。

11.根據權利要求10所述的覆晶式封裝元件，其中該半導體發光元件系通過共晶材料與該線路基板電性連接。

12.根據權利要求10所述的覆晶式封裝元件，其中該線路基板包含：

透明基板以及圖案化導電層，該圖案化導電層配置于該透明基板的表面。

13.根據權利要求12所述的覆晶式封裝元件，其中該透明基板為藍寶石基板。

14.一種半導體發光芯片，其特征在于，包括：

第一態摻雜半導體層，具有平臺部與下陷部，其中該平臺部的厚度大于該下陷部的厚度；

發光層，配置于該平臺部上，該發光層具有第一表面、相對于第一表面的第二表面及連接該第一表面與該第二表面的第一側壁面，其中該第一表面朝向該第一態摻雜半導體層，且該第二表面背對該第一態摻雜半導體層；

第二態摻雜半導體層，配置于該發光層上，該第二態摻雜半導體層具有第三表面、相對于該第三表面的第四表面及連接該第三表面與該第四表面的第二側壁面，其中該第三表面朝向該發光層，且該第四表面背對該發光層；以及

反射層，覆蓋至少部分該第二態摻雜半導體層及至少部分該第一態摻雜半導體層，其中沿著平行于該發光層的觀察方向來看，該反射層覆蓋至少部分該第一側壁面與至少部分該第二側壁面，且該反射層的反射率大于98％。