[發(fā)明專利]一種立方氮化硼合成方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210147418.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103418310A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李建林;李闖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 河南飛孟金剛石工業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | B01J3/06 | 分類號(hào): | B01J3/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 454750 河南*** | 國(guó)省代碼: | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 立方 氮化 合成 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種立方氮化硼合成方法。
背景技術(shù)
立方氮化硼是由六方氮化硼和觸媒在高溫高壓下合成的,是繼人造金剛石問世后出現(xiàn)的又一種新型高新技術(shù)產(chǎn)品。它具有很高的硬度、熱穩(wěn)定性和化學(xué)惰性,以及良好的透紅外形和較寬的禁帶寬度等優(yōu)異性能,它的硬度僅次于金鋼石,但熱穩(wěn)定性遠(yuǎn)高于金鋼石,對(duì)鐵系金屬元素有較大的化學(xué)穩(wěn)定性。
目前,公開的立方氮化硼合成工藝單產(chǎn)比較低,產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定,設(shè)備利用率和原材料轉(zhuǎn)化率比較低。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的問題,本發(fā)明所要解決的問題是提供一種單產(chǎn)較高的立方氮化硼合成方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種立方氮化硼合成方法,將六方氮化硼和觸媒混合均勻,在一定壓力和溫度下轉(zhuǎn)化為立方氮化硼,所述觸媒粒度為80~100目。
進(jìn)一步,所述溫度為1673~2173K,所述壓力為4~6GPa。
進(jìn)一步,所述觸媒為鎂基合金,觸媒濃度為5~8wt%。
本發(fā)明單產(chǎn)可提高8~12克拉/塊,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,設(shè)備利用率和原材料轉(zhuǎn)化率也得到了提高。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
實(shí)施例1
將六方氮化硼和鎂基合金混合均勻,鎂基合金的濃度為5wt%,然后在溫度為1673K,壓力為4GPa的條件下轉(zhuǎn)化為立方氮化硼。
實(shí)施例2
將六方氮化硼和鎂基合金混合均勻,鎂基合金的濃度為8wt%,然后在溫度為2173K,壓力為6GPa的條件下轉(zhuǎn)化為立方氮化硼。
實(shí)施例3
將六方氮化硼和鎂基合金混合均勻,鎂基合金的濃度為6wt%,然后在溫度為1873K,壓力為5GPa的條件下轉(zhuǎn)化為立方氮化硼。
實(shí)施例4
將六方氮化硼和鎂基合金混合均勻,鎂基合金的濃度為7wt%,然后在溫度為2073K,壓力為5GPa的條件下轉(zhuǎn)化為立方氮化硼。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于河南飛孟金剛石工業(yè)有限公司,未經(jīng)河南飛孟金剛石工業(yè)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210147418.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種用于金剛石合成的新型觸媒
- 下一篇:斷熱隱紗防盜外開窗中挺鋁型材
- 同類專利
- 專利分類
B01J 化學(xué)或物理方法,例如,催化作用、膠體化學(xué);其有關(guān)設(shè)備
B01J3-00 利用低于或高于大氣壓力使物質(zhì)發(fā)生化學(xué)或物理變化的方法;其有關(guān)設(shè)備
B01J3-02 .它們的進(jìn)料或出口裝置
B01J3-03 .帶有專用的封閉結(jié)構(gòu)或密封的壓力容器或真空容器
B01J3-04 .壓力容器,例如,高壓釜
B01J3-06 .應(yīng)用超高壓方法,例如,用于生成金剛石;其設(shè)備,例如塑模,擠壓模
B01J3-08 ..沖擊波在化學(xué)反應(yīng)上或物質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)改進(jìn)上的應(yīng)用
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





