[發明專利]一種多晶硅片晶向測試方法

有效

• 申請號: 201210147178.X
• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN102680444A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 付少永;熊震;劉振淮
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種硅片晶向測試方法，包括：

a)獲得硅片的光致發光成像圖像；

b）對所述光致發光成像圖像進行處理，獲得晶粒的成像亮度信息；

c）基于晶粒的亮度信息判斷晶粒的晶向。

2.如權利要求1所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，所述步驟b）包括：對所述光致發光成像圖像進行直方圖分析，所述直方圖為亮度和對應像素數目的直方圖。

3.如權利要求2所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，所述步驟b）包括：通過直方圖分析獲得圖像中亮度的3個高斯峰，以及相應的第一分割閾值和第二分割閾值，其中第一分割閾值的亮度值大于第二分割閾值。

4.如權利要求3所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，所述第一和第二分割閾值通過擬合相鄰高斯峰之間的谷值獲得。

5.如權利要求4所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，所述步驟c）包括：基于所述第一和第二分割閾值對所述光致發光成像圖像進行圖像分裂和歸并。

6.如權利要求5所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，所述圖像分裂和歸并包括：

計算亮度值大于第一分割閾值的第一像素數目；

計算亮度值在第二分割閾值和第一分割閾值之間的第二像素數目，

計算亮度值小于第二分割閾值的第三像素數目。

7.如權利要求6所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，所述步驟c）包括：

根據所述第一、第二、和第三像素數目，計算相應圖像區域所占面積的平均亮度值。

8.如權利要求7所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，所述步驟c）包括：根據所計算的各區域平均亮度值，基于以下標準判斷區域的晶向：在各種晶向區域中，<100>晶向區域最亮，<111>晶向區域最暗，其他晶向區域介于二者之間。

9.如權利要求8所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，將平均亮度值最低的區域判斷為位錯區域。

10.如權利要求1所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，在步驟b）之前，測試硅片的電阻率信息，并基于電阻率對所述光致發光成像圖像的圖像亮度進行標準化。

11.如權利要求1所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，在所述步驟a）中，光致發光曝光時間為1～50s，或5～30s，或10～20s。

12.如權利要求1所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，光致發光所用的激光光源波長為904nm、或500nm。

13.如權利要求1所述的硅片晶向測試方法，其特征在于，光致發光使用短波長激光光源。

14.使用如權利要求1－13中任一項所述的方法，用于測定多晶硅的晶向。

15.使用如權利要求1－13中任一項所述的方法，用于測定類單晶的晶向。