[發明專利]金屬熔絲的制造方法有效
| 申請號： | 201210147023.6 | 申請日： | 2012-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN103390578A | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發明（設計）人： | 趙新梅;鄭炯 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 制造 方法 | ||
1.一種金屬熔絲的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、在一半導體基底上依次形成次頂層金屬、層間膜、頂層金屬和鈍化層，所述次頂層金屬包括次頂層連線金屬和金屬熔絲，所述頂層金屬和所述次頂層連線金屬通過所述層間膜隔離并通過形成于所述層間膜中的通孔連接；
步驟二、利用一層光罩將所述金屬熔絲區域打開；
步驟三、利用刻蝕工藝依次對所述金屬熔絲區域的所述鈍化層和所述層間膜進行刻蝕，刻蝕后所述金屬熔絲露出；
步驟四、采用刻蝕工藝對所述金屬熔絲進行減薄；
步驟五、進行第二鈍化層淀積，在所述金屬熔絲區域所述第二鈍化層將所述金屬熔絲覆蓋并用于對所述金屬熔絲進行保護，在所述金屬熔絲區域外所述第二鈍化層位于所述鈍化層上；
步驟六、采用光刻刻蝕進行襯底焊盤開口，將所述襯墊焊盤區域的所述第二鈍化層和所述鈍化層去除并將所述頂層金屬露出。
2.如權利要求1所述的金屬熔絲的制造方法，其特征在于：所述層間膜為氧化膜。
3.如權利要求1所述的金屬熔絲的制造方法，其特征在于：所述次頂層金屬的材質為鋁、銅或鎢；所述頂層金屬的材質為鋁、銅或鎢。
4.如權利要求1所述的金屬熔絲的制造方法，其特征在于：所述鈍化層為由底層為氧化硅、頂層為氮化硅或氮氧化硅組成的雙層膜。
5.如權利要求1所述的金屬熔絲的制造方法，其特征在于：所述第二鈍化層為氮化硅或氮氧化硅。
6.如權利要求1或5所述的金屬熔絲的制造方法，其特征在于：步驟五中所淀積的所述第二鈍化層的厚度為
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
