[發明專利]一種多孔微柱變曲率型面的芯片強化沸騰換熱結構

有效

• 申請號: 201210146854.1
• 申請日: 2012-05-14
• 公開（公告）號: CN102683305A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 魏進家;薛艷芳
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01L23/427
• 分類號: H01L23/427
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權

1.一種多孔微柱變曲率型面的芯片強化沸騰換熱結構，包括芯片表面的散熱板以及在散熱板上面利用泡沫金屬形成若干個多孔變曲率型面三維微結構，其特征在于：多孔變曲率型面三維微結構為六面型，上下表面為不同尺寸的正方形，4個側表面為相同形狀的弧面。

2.根據權利要求1所述的一種多孔微柱變曲率型面的芯片強化沸騰換熱結構，其特征在于，所述多孔變曲率型面三維微結構呈陣列式分布。

3.根據權利要求1所述的一種多孔微柱變曲率型面的芯片強化沸騰換熱結構，其特征在于，所述多孔變曲率型面三維微結構側表面的弧面形狀為弧線型軌跡，所述微結構高度h為50μm~300μm,上表面邊長W上為10μm~100μm，下表面邊長W下為5μm~50μm，相鄰微結構之間中心點距離p為上表面邊長W上的1.5~2.5倍。

4.根據權利要求1所述的一種多孔微柱變曲率型面的芯片強化沸騰換熱結構，其特征在于，所述多孔變曲率型面三維微結構側表面的弧面形狀為拋物線型軌跡，所述微結構高度h為50μm~300μm,上表面邊長W上為10μm~100μm，下表面邊長W下為5μm~50μm，相鄰微結構之間中心點距離p為上表面邊長W上的1.5~2.5倍。

5.一種根據權利要求1-4任一項所述的多孔微柱變曲率型面的芯片強化沸騰換熱結構的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)利用液態聚合物紫外光固化工藝，制作變曲率型面三維微通道鑄模器件：

首先對三維CAM/CAD實體模型進行數據分析，其次解析分解為二維CAD平面數據，工作時，激光束按照解析平面圖形進行分層掃描固化，被掃描到的部位就形成與圖形一致的二維片狀單位并堆積，不斷重復此過程，形成三維聚合物結構即與三維實體模型相吻合的鑄模；

2)把制備好的液態泡沫金屬，澆鑄到鑄模中進行金屬微電鍍，待冷卻固化后，用溶劑或進行化學反應，將固化聚合物分解去除，最后得到陣列式分布的多孔微柱變曲率型面三維微結構。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：其中二維片狀單位的堆積軌跡是按照三維實體模型的輪廓設定，為拋物線型或弧線型。