[發明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請號: 201210146748.3
• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN102774805A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 沈信隆;謝俊池
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;H01L23/31
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明有關于晶片封裝體，且特別是有關于微機電系統晶片封裝體(MEMS?chip?packages)。

背景技術

隨著電子產品朝向輕、薄、短、小發展的趨勢，半導體晶片的封裝結構也朝向多晶片封裝(multi-chip?package,MCP)結構發展，以達到多功能和高性能要求。多晶片封裝結構是將不同類型的半導體晶片，例如邏輯晶片、模擬晶片、控制晶片或存儲器晶片，整合在單一封裝基底之上。

不同晶片之間可通過焊線而彼此電性連接。然而，隨著需整合的晶片數量上升，將多晶片以焊線相連接會造成封裝體體積無法有效縮小，且亦會占去過多面積而造成制作成本增加，不利于可攜式電子產品的應用。

發明內容

本發明提供一種晶片封裝體，包括：一第一基底；一第二基底，設置于該第一基底之上，其中該第二基底具有貫穿該第二基底的至少一開口，該至少一開口于該第二基底之中劃分出彼此電性絕緣的多個導電區；一承載基底，設置于該第二基底之上；至少一阻擋塊體，對應地設置于該第二基底的該至少一開口之上，且大抵完全覆蓋該至少一開口；一絕緣層，設置于該承載基底的一表面及一側壁之上；以及一導電層，設置于該承載基底上的該絕緣層之上，且電性接觸所述導電區中的一導電區。

本發明所述的晶片封裝體，該導電層自該承載基底的該表面上的該絕緣層沿著該承載基底的該側壁朝該第二基底延伸。

本發明所述的晶片封裝體，還包括：一防焊層，設置于該導電層之上，其中該防焊層具有露出該導電層的一開口；以及一導電凸塊，設置于該防焊層的該開口之中，且電性接觸該導電層。

本發明所述的晶片封裝體，該防焊層包覆該導電層的鄰近所述導電區中的一導電區的一部分的一側邊。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一第一接墊及一第二接墊，設置于該第一基底與該第二基底之間，其中該第二接墊接合于該第一接墊之上，且電性連接所述導電區中的一導電區。

本發明所述的晶片封裝體，該承載基底的該側壁傾斜于該承載基底的該表面。

本發明所述的晶片封裝體，該承載基底的該側壁大抵垂直于該承載基底的該表面。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一第二導電層，設置于該承載基底及該絕緣層之上，且電性接觸所述導電區中的一導電區，其中該第二導電層不電性連接該導電層。

本發明所述的晶片封裝體，該至少一阻擋塊體的一寬度大于或等于該至少一開口的一寬度。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一第二絕緣層，位于該至少一阻擋塊體與該至少一開口之間。

本發明所述的晶片封裝體，該至少一阻擋塊體的材質與該承載基底的材質相同。

本發明所述的晶片封裝體，該至少一阻擋塊體的材質與該承載基底的材質不同。

本發明提供一種晶片封裝體的形成方法，包括：提供一第一基底；將一第二基底設置于該第一基底之上，其中該第二基底具有貫穿該第二基底的至少一開口，該至少一開口于該第二基底之中劃分出彼此電性絕緣的多個導電區；將一承載基底設置于該第二基底之上；部分移除該承載基底以形成露出該第二基底的所述導電區的至少一凹陷；于該第二基底的該至少一開口上對應地形成至少一阻擋塊體，其中該至少一阻擋塊體大抵完全覆蓋該至少一開口；于該承載基底上形成一絕緣層，其中該絕緣層延伸于該至少一凹陷的一側壁之上；以及于該絕緣層之上形成一導電層，其中該導電層電性接觸所述導電區中的一導電區。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括在形成該至少一凹陷之前，薄化該承載基底。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括：于該導電層之上形成一防焊層，該防焊層具有露出該導電層的一開口；以及于該防焊層的該開口中形成一導電凸塊，該導電凸塊電性接觸該導電層。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該絕緣層之上形成一第二導電層，其中該第二導電層電性接觸所述導電區中的一導電區，且該第二導電層不電性連接該導電層。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該第一導電層及該第二導電層的形成步驟包括：于該絕緣層上形成一導電材料層；以及將該導電材料層圖案化以形成該第一導電層及該第二導電層。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該第一導電層及該第二導電層之上電鍍一導電材料。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括對通過該至少一凹陷的一預定切割道進行一切割制程以形成多個彼此分離的晶片封裝體。