[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210146730.3
• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN103106917A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖忠志
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413;H01L21/8244
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種存儲器位單元，包括：

鎖存器；

寫端口，與所述鎖存器相連接，包括具有第一閾值電壓的第一組器件，和具有第二閾值電壓的第二組器件，所述第二閾值電壓大于所述第一閾值電壓；以及

讀端口，與所述鎖存器相連接，包括具有第三閾值電壓的第三組器件，所述第三閾值電壓小于所述第一閾值電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器位單元，其中，所述第一組器件具有第一柵極長度，所述第二組器件具有第二柵極長度，所述第二柵極長度比所述第一柵極長度長，并且所述第三組器件具有第三柵極長度，所述第三柵極長度比所述第一柵極長度短。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器位單元，其中，所述第一組器件形成在第一類型的第一阱中，所述第二組器件形成在第一類型的第二阱中，并且所述第三組器件形成在第一類型的第三阱中，并且第四組器件形成在第二類型的第一阱中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器位單元，其中，所述第一類型的第一阱具有第一摻雜濃度，所述第一類型的第二阱具有不同于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度，并且所述第一類型的第三阱具有不同于所述第一摻雜濃度和所述第二摻雜濃度的第三摻雜濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器位單元，其中，所述第一類型的第一阱設(shè)置為直接鄰近所述第二類型的第一阱，并且所述第一類型的第二阱設(shè)置在所述第二類型的第一阱和所述第一類型的第三阱之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器位單元，其中，所述第一組器件、所述第二組器件、和所述第三組器件的柵極電介質(zhì)厚度相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器位單元，其中，所述第一類型的第一阱和所述第一類型的第二阱具有第一摻雜濃度，并且所述第一類型的第三阱具有不同于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器位單元，其中，所述第一組器件，所述第二組器件，和所述第三組器件的柵極電介質(zhì)厚度相同，所述第四組器件的柵極電介質(zhì)厚度與所述第一組器件、所述第二組器件、和所述第三組器件的柵極電介質(zhì)厚度不同。

9.一種制造半導(dǎo)體存儲器的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底中形成存儲器位單元的第一組器件，所述第一組器件具有第一閾值電壓；

在所述半導(dǎo)體襯底中形成所述存儲器位單元的第二組器件，所述第二組器件具有大于所述第一閾值電壓的第二閾值電壓；

在所述半導(dǎo)體襯底中形成所述存儲器位單元的第三組器件，所述第三組器件具有小于所述第一閾值電壓的第三閾值電壓；以及

在所述半導(dǎo)體襯底中形成所述存儲器位單元的第四組器件，所述第四組器件具有第四閾值電壓。

10.一種半導(dǎo)體存儲器，包括：

多個(gè)位單元，布置在多個(gè)行和多個(gè)列中，所述多個(gè)行中的每一行與至少一條字線相關(guān)聯(lián)，并且所述多個(gè)列中的每一列與至少一條位線相關(guān)聯(lián)，

其中，第一位單元設(shè)置在第一行和第一列中，并且包括：

包括第一組器件和第二組器件的寫端口，所述第一組器件具有第一閾值電壓，所述第二組器件具有大于所述第一閾值電壓的第二閾值電壓；以及

包括第三組器件的讀端口，所述第三組器件具有小于所述第一閾值電壓的第三閾值電壓。