[發(fā)明專利]一種像素結(jié)構(gòu)制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210146302.0
• 申請(qǐng)日: 2007-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102664162A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏士益;鄭逸圣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種像素結(jié)構(gòu)制造方法，其特征是，該像素結(jié)構(gòu)制造方法包含：

提供一基板；

形成一半導(dǎo)體層于該基板上，其中形成所述的半導(dǎo)體層的步驟包含：

沉積一半導(dǎo)體薄膜于所述的基板上；

形成一第一光刻膠屏蔽于該半導(dǎo)體薄膜上；

利用一第一掩膜對(duì)該第一光刻膠屏蔽進(jìn)行一光刻工藝，形成一已圖案化的第一光刻膠屏蔽；

通過(guò)該已圖案化的第一光刻膠屏蔽對(duì)所述的半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行一第一離子注入以形成一儲(chǔ)存電容區(qū)，該儲(chǔ)存電容區(qū)為一重離子摻雜區(qū)；及

移除所述的已圖案化的第一光刻膠屏蔽，形成所述的半導(dǎo)體層；

形成一源極及一漏極于該半導(dǎo)體層上方并與其直接接觸，形成所述的源極及所述的漏極的步驟包含：

沉積一第一金屬層于所述的半導(dǎo)體層上方；

沉積一第二光刻膠屏蔽于該第一金屬層上；

利用一第二掩膜對(duì)該第二光刻膠屏蔽進(jìn)行一光刻工藝，形成一已圖案化的第二光刻膠屏蔽；

移除未被該已圖案化的第二光刻膠屏蔽遮蔽的局部的所述的第一金屬層；及

移除所述的已圖案化的第二光刻膠屏蔽，形成所述的源極及所述的漏極；

形成一隔離層覆蓋于該源極及漏極；

于形成該源極及該漏極的步驟后，同時(shí)形成一柵極及一電容電極于該隔離層上；

形成一介電層覆蓋于該柵極及該電容電極上；

形成一屏蔽層覆蓋于該介電層上；

形成一接觸窗于所述的漏極上方以暴露該漏極；及

形成一導(dǎo)電層于所述的屏蔽層上并通過(guò)所述的接觸窗直接與所述的漏極電性連接；

其中，形成所述的介電層、所述的屏蔽層及所述的接觸窗的步驟包含：

連續(xù)沉積一介電薄膜及一屏蔽薄膜于所述的柵極、所述的電容電極及所述的隔離層上；及

利用一第四掩膜對(duì)所述的介電薄膜及所述的屏蔽薄膜進(jìn)行一光刻刻蝕工藝，形成所述的介電層、所述的屏蔽層及所述的接觸窗。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該介電層覆蓋于該柵極及該電容電極上的步驟中，該介電層完全覆蓋于該柵極及該電容電極上。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該隔離層覆蓋于該源極及漏極的步驟中，該隔離層完全覆蓋于該源極及漏極。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該屏蔽層覆蓋于該介電層上的步驟中，該屏蔽層完全覆蓋于該介電層上。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一光刻膠屏蔽為一半調(diào)掩膜，包含一遮光區(qū)及一半穿透區(qū)分別對(duì)應(yīng)所述的已圖案化的第一光刻膠屏蔽的一第一厚度以及一第二厚度，其中該第一厚度大于該第二厚度。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一離子注入為一p+離子注入是在所述的半導(dǎo)體層上對(duì)應(yīng)區(qū)域形成一p+離子區(qū)域，其中該p+離子注入濃度介于1E18與1E21atom/cm³之間。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)制造方法進(jìn)一步包括進(jìn)行一活化工藝，活化所述的p+離子區(qū)域。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的活化工藝的溫度介于攝氏550度與攝氏1000度之間。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述的柵極及所述的電容電極的步驟包含：

沉積一第二金屬層于所述的隔離層上；

沉積一第三光刻膠屏蔽于該第二金屬層上；

利用一第三掩膜對(duì)該第三光刻膠屏蔽進(jìn)行一光刻工藝，形成一已圖案化的第三光刻膠屏蔽；

移除未被該已圖案化的第三光刻膠屏蔽遮蔽的局部的所述的第二金屬層；及

移除所述的已圖案化的第三光刻膠屏蔽，形成所述的柵極及所述的電容電極。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述的柵極及所述的電容電極的步驟后進(jìn)一步包含以該柵極為一屏蔽，對(duì)所述的半導(dǎo)體層進(jìn)行一p-離子注入是在所述的半導(dǎo)體層上對(duì)應(yīng)區(qū)域形成一p-離子區(qū)域，其中該P(yáng)-離子注入濃度介于1E17與1E19atom/cm³之間。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)制造方法進(jìn)一步包括進(jìn)行一活化工藝，活化所述的p-離子區(qū)域。