[發明專利]一種α晶相介孔碳化硅材料及其制備方法無效
| 申請號: | 201210146196.6 | 申請日: | 2012-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN102674355A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 沈曉冬;孔勇;崔升;仲亞 | 申請(專利權)人: | 南京工業大學 |
| 主分類號: | C01B31/36 | 分類號: | C01B31/36 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人: | 徐冬濤;袁正英 |
| 地址: | 210009 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶相介孔 碳化硅 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種α晶相介孔碳化硅材料,其特征在于孔徑分布在5~40nm,BET比表面積在130~330m2/g,形態為深綠色粉末,晶型為α相6H型。
2.一種制備如權利要求1所述的α晶相介孔碳化硅材料的方法,其具體步驟如下:
(1)把間苯二酚、甲醛、3-氨丙基三乙氧基硅烷、去離子水、乙醇按摩爾比為1∶2∶(0.5~2)∶(0~4)∶(25~100)混合均勻配成反應物溶液,反應物溶液于40~70°C下進行溶膠-凝膠反應30~90分鐘得到濕凝膠,濕凝膠經過老化和干燥得到碳-二氧化硅復合干凝膠,即碳化硅前驅體;
(2)將步驟(1)中得到的碳化硅前驅體在惰性氣氛保護下,以1~5°C/min的升溫速率升溫到600~900°C,保溫1~6小時,再以1~5°C/min的升溫速率升溫到1450~1600°C進行碳熱還原反應2~10小時,然后冷卻,得到含有余炭的碳化硅制品;
(3)將步驟(2)制得的含有余炭的碳化硅制品在空氣中500~700°C下煅燒1~6小時,然后在氫氟酸中浸泡除去碳化硅中的二氧化硅,經過水洗、過濾、烘干后,得到深綠色α晶相介孔碳化硅。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于步驟(1)中老化條件為:40~75°C下老化12~48小時。
4.根據權利要求2所述的方法,其特征在于步驟(1)中干燥條件為:50~100°C下干燥6~48小時。
5.根據權利要求2所述的方法,其特征在于步驟(2)中所述的惰性氣氛為氬氣或氦氣中的一種。
6.根據權利要求2所述的方法,其特征在于步驟(3)中所述的氫氟酸的質量分數為10~30%,浸泡時間為1~3小時。
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