[發明專利]提高靜態隨機存儲器寫入冗余度的方法

無效

• 申請號: 201210145500.5
• 申請日: 2012-05-10
• 公開（公告）號: CN102683188A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L21/8244
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種提高靜態隨機存儲器寫入冗余度的方法，其特征在于包括：在采用張應力通孔刻蝕停止層應力處理時，在消除PMOS器件區域的張應力的元素離子注入工藝步驟中，除了采用光刻膠覆蓋NMOS器件之外，還采用附加的光刻膠將上拉管區域覆蓋，使得元素離子不會對上拉管區域的通孔刻蝕停止層進行注入，從而保持了上拉管溝道之中的張應力。

2.根據權利要求1所述的提高靜態隨機存儲器寫入冗余度的方法，其特征在于，所述元素離子是鍺元素離子。

3.根據權利要求1或2所述的提高靜態隨機存儲器寫入冗余度的方法，其特征在于，所述提高靜態隨機存儲器寫入冗余度的方法用于45nm及以下靜態隨機存儲器制備處理。

4.根據權利要求1或2所述的提高靜態隨機存儲器寫入冗余度的方法，其特征在于，所述提高靜態隨機存儲器寫入冗余度的方法是通過邏輯運算實現的。

5.一種靜態隨機存儲器制造方法，其特征在于采用了根據權利要求1至4之一所述的提高靜態隨機存儲器寫入冗余度的方法。