[發(fā)明專(zhuān)利]具有改善的軟度的半導(dǎo)體組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210145294.8
• 申請(qǐng)日: 2012-05-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102779856A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D.韋貝爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/861
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/861;H01L29/739;H01L29/08
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;李浩

1.一種半導(dǎo)體組件，包含：

半導(dǎo)體本體；

半導(dǎo)體本體中的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一發(fā)射極區(qū)域；

在半導(dǎo)體本體的垂直方向與第一發(fā)射極區(qū)域相距一定距離布置的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二發(fā)射極區(qū)域；

布置在第一和第二發(fā)射極區(qū)域之間且具有比第一和第二發(fā)射極區(qū)域低的摻雜濃度的第一和第二導(dǎo)電類(lèi)型其中之一的基極區(qū)域；

布置在基極區(qū)域中與基極區(qū)域相同導(dǎo)電類(lèi)型的第一場(chǎng)停止區(qū)；以及

布置在基極區(qū)域中與基極區(qū)域相同導(dǎo)電類(lèi)型的第二場(chǎng)停止區(qū)，該第二場(chǎng)停止區(qū)在半導(dǎo)體的垂直方向與第一場(chǎng)停止相距一定距離布置，該第一場(chǎng)停止區(qū)布置在第二場(chǎng)停止區(qū)和第二發(fā)射極區(qū)之間，且該第二場(chǎng)停止區(qū)包括在半導(dǎo)體本體的至少一個(gè)水平方向彼此相距一定距離布置的多個(gè)場(chǎng)停止區(qū)部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中基極區(qū)域的部分布置在第二場(chǎng)停止區(qū)的相鄰場(chǎng)停止區(qū)部分之間，且其中場(chǎng)停止區(qū)部分的總面積與基極區(qū)域部分的總面積之間的比在10:1和1:10之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中第一場(chǎng)停止區(qū)包括在半導(dǎo)體本體的至少一個(gè)水平方向彼此相距一定距離布置的多個(gè)場(chǎng)停止區(qū)部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體組件，其中第二場(chǎng)停止區(qū)的場(chǎng)停止區(qū)部分至少部分地重疊第一場(chǎng)停止區(qū)的場(chǎng)停止區(qū)部分，使得在垂直方向從第一發(fā)射極區(qū)域延伸到第二發(fā)射極區(qū)域的基極區(qū)域的每個(gè)部分被第一場(chǎng)停止區(qū)的場(chǎng)停止區(qū)部分和第二場(chǎng)停止區(qū)的場(chǎng)停止區(qū)部分其中至少一個(gè)中斷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中第二場(chǎng)停止區(qū)的場(chǎng)停止區(qū)部分布置在單個(gè)水平平面內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中第二場(chǎng)停止區(qū)的場(chǎng)停止區(qū)部分布置在至少兩個(gè)不同水平平面內(nèi)，使得在至少一些場(chǎng)停止區(qū)部分之間存在垂直偏移。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中基極區(qū)域具有垂直長(zhǎng)度，且其中第二發(fā)射極區(qū)域和第二場(chǎng)停止區(qū)之間的距離在基極區(qū)域的垂直長(zhǎng)度的2%?和20%之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中基極區(qū)域具有垂直長(zhǎng)度，且其中第一場(chǎng)停止區(qū)和第二場(chǎng)停止區(qū)之間的距離在基極區(qū)域的垂直長(zhǎng)度的1%?和15%之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中半導(dǎo)體組件是二極管，基極區(qū)域是第二導(dǎo)電類(lèi)型的，且在第一發(fā)射極區(qū)域和基極區(qū)域之間形成pn結(jié)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體組件，還包含：

接觸第二發(fā)射極區(qū)域的電極；以及

在垂直方向從該電極通過(guò)第二發(fā)射極區(qū)域延伸的第一導(dǎo)電類(lèi)型的多個(gè)發(fā)射極短路區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體組件，其中第二場(chǎng)停止區(qū)的場(chǎng)停止區(qū)部分至少部分地重疊發(fā)射極短路區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其中半導(dǎo)體組件是IGBT，基極區(qū)域是第一導(dǎo)電類(lèi)型的，且IGBT還包含：

布置在第一發(fā)射極區(qū)域和基極區(qū)域之間的第二導(dǎo)電類(lèi)型的本體區(qū)域；以及

具有柵電極的控制結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體組件，還包含：

接觸第二發(fā)射極區(qū)域的電極；以及

在垂直方向從該電極通過(guò)第二發(fā)射極區(qū)域延伸的第一導(dǎo)電類(lèi)型的多個(gè)發(fā)射極短路區(qū)域。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體組件，其中第二場(chǎng)停止區(qū)的場(chǎng)停止區(qū)部分至少部分地重疊第二發(fā)射極區(qū)域的區(qū)域。