[發明專利]一種具有電荷補償肖特基半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210144430.1
• 申請日: 2012-04-29
• 公開（公告）號: CN103378173B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 朱江
• 申請（專利權）人: 朱江
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有電荷補償肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：

襯底層，為高濃度雜質摻雜第一導電半導體材料構成；

電荷補償結構，位于襯底層之上，為條狀第一導電半導體材料和條狀第二導電半導體材料交替排列構成，第二導電半導體材料為單晶第二導電半導體材料包裹多晶第二導電半導體材料構成，多晶第二導電半導體材料構成位于溝槽中，單晶第二導電半導體材料臨靠溝槽外側，多晶第二導電半導體材料與第一導電半導體材料不相連；

第一導電半導體材料層，位于電荷補償結構之上和電荷補償結構與襯底層之間，為第一導電半導體材料構成；

肖特基勢壘結，位于第一導電半導體材料層上表面。

2.如權利要求1所述的一種具有電荷補償肖特基半導體裝置的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)在襯底層表面形成第一導電半導體材料層，然后在第一導電半導體材料層表面形成一種絕緣介質；

2)進行光刻腐蝕工藝，第一導電半導體材料表面去除部分絕緣介質，然后刻蝕去除部分裸露第一導電半導體材料形成溝槽；

3)在溝槽內形成多晶第二導電半導體材料，然后進行平整化工藝；

4)進行第一導電半導體材料外延，然后在第一導電半導體材料表面形成一種絕緣介質，進行光刻腐蝕工藝，在第一導電半導體材料表面去除部分絕緣介質；

5)在第一導電半導體材料表面淀積勢壘金屬，進行燒結形成肖特基勢壘結。