[發(fā)明專利]低發(fā)熱量的聚光型太陽(yáng)能電池模組

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210143617.X
• 申請(qǐng)日: 2012-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN103378207A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱正杰;莊惠如;陳皇宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南美特科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/052
• 分類號(hào): H01L31/052;H01L31/0216;H01L31/0232
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 張艷贊

1.一種低發(fā)熱量的聚光型太陽(yáng)能電池模組，其特征在于，所述低發(fā)熱量的聚光型太陽(yáng)能電池模組包含：

一太陽(yáng)能電池芯片；

一電路承載板，其設(shè)置于所述太陽(yáng)能電池芯片的下方，用以承載所述太陽(yáng)能電池芯片；

一折射式聚光鏡，其設(shè)置于所述太陽(yáng)能電池芯片的上方，用以將太陽(yáng)光聚集于所述太陽(yáng)能電池芯片上；以及

一紅外光阻隔元件，其設(shè)置于所述折射式聚光鏡的上方，所述紅外光阻隔元件在400nm至750nm的光穿透率介于60%~90%之間，且在1100nm至1500nm的光穿透率介于10%~50%之間。

2.如權(quán)利要求1所述的聚光型太陽(yáng)能電池模組，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池芯片選自單晶硅太陽(yáng)能電池、多晶硅太陽(yáng)能電池、硅薄膜太陽(yáng)能電池、三五族化合物太陽(yáng)能電池、染料敏化太陽(yáng)能電池、碲化鎘太陽(yáng)能電池或銅銦鉀硒太陽(yáng)能電池。

3.如權(quán)利要求1所述的聚光型太陽(yáng)能電池模組，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池芯片選自硅薄膜太陽(yáng)能電池或染料敏化太陽(yáng)能電池。

4.如權(quán)利要求1所述的聚光型太陽(yáng)能電池模組，其特征在于，所述紅外光阻隔元件由一紅外光吸收層涂布于一透明基板上所形成，且所述透明基板的材質(zhì)選自玻璃或塑料。

5.如權(quán)利要求4所述的聚光型太陽(yáng)能電池模組，其特征在于，所述紅外光吸收層的材料為一金屬氧化物，且金屬選自銻、鎢、釩、鐵、鉻、鉬、鈮、鈷、鎳、錫或其混合物。

6.如權(quán)利要求1所述的聚光型太陽(yáng)能電池模組，其特征在于，所述紅外光阻隔元件為一直接一體成型的紅外光吸收玻璃。

7.如權(quán)利要求1所述的聚光型太陽(yáng)能電池模組，其特征在于，所述折射式聚光鏡的聚光倍率介于300倍到500倍間。

8.如權(quán)利要求1所述的聚光型太陽(yáng)能電池模組，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池芯片直接粘著于電路承載板上。

9.如權(quán)利要求1所述的聚光型太陽(yáng)能電池模組，其特征在于，所述紅外光阻隔元件由一紅外光吸收材料直接涂布于所述折射式聚光鏡接收入射光的一表面上，其中所述紅外光吸收材料為一金屬氧化物，且金屬選自銻、鎢、釩、鐵、鉻、鉬、鈮、鈷、鎳、錫或其混合物。