[發明專利]選擇性發射極晶體硅太陽電池制造方法

無效

• 申請號: 201210143518.1
• 申請日: 2012-05-10
• 公開（公告）號: CN102723401A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 包誕文
• 申請（專利權）人: 山東天信光伏新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 東營雙橋專利代理有限責任公司 37107
• 代理人: 王錫洪

1.一種選擇性發射極晶體硅太陽電池制造方法，包括高濃度摻雜擴散、低濃度摻雜擴散，其特征在于：用含磷摻雜劑漿料在晶體硅片正面絲網印刷，印刷區域略大于電極區域，烘干，然后在POCl₃氣氛中進行摻雜擴散，在含磷摻雜劑漿料印刷區域得到高濃度擴散，其余區域得到低濃度擴散，高濃度、低濃度摻雜擴散一次完成。

2.根據權利要求1所述的選擇性發射極晶體硅太陽電池制造方法，其特征在于制作的具體工藝為：

a、表面制備，去除硅片表面損傷，形成減反射表面結構，然后化學清洗；

b、在晶體硅片光照面即正面絲網印刷含磷摻雜劑漿料，印刷區域略大于光照面，即正面電極區域，烘干；

c、擴散制結，在POCl₃氣氛中進行摻雜擴散，在含磷摻雜劑漿料印刷區域得到高濃度擴散，其余區域得到低濃度擴散，高濃度、低濃度摻雜擴散一次完成；

d、去除硅片周邊PN結；

e、正表面沉積減反射膜及鈍化；

f、電極制造，用相應的漿料絲網印刷正面、背面電極及背表面場圖案并烘干、高溫燒結形成歐姆接觸。

3.根據權利要求1所述的選擇性發射極晶體硅太陽電池制造方法，其特征在于：所述含磷摻雜劑漿料是指二氧化硅乳膠源。