[發明專利]發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 201210143459.8
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN103390699A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 劉恒
• 申請（專利權）人: 華夏光股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

1.一種發光二極管的制造方法，包含：

提供一圖案化基板，該圖案化基板具有多個突出部分，且相鄰所述突出部分之間具有平坦區域；

形成至少一緩沖層于所述圖案化基板上，其中所述緩沖層至少填滿所述圖案化基板之突出部分之間的空隙；

形成一凹坑層于所述緩沖層上，該凹坑層具有多個凹坑；及

形成一發光組件于所述凹坑層上，并填滿所述凹坑。

2.根據權利要求1所述發光二極管的制造方法，其中所述圖案化基板包含圖案化藍寶石基板。

3.根據權利要求1所述發光二極管的制造方法，其中所述圖案化基板的提供步驟包含：

提供一基層；及

形成具有所述多個突出部分的一圖案層于所述基層上。

4.根據權利要求1所述發光二極管的制造方法，還包含：

形成一成核層于所述圖案化基板與所述緩沖層之間。

5.根據權利要求1所述發光二極管的制造方法，其中所述凹坑層的形成溫度介于500~900℃。

6.根據權利要求1所述發光二極管的制造方法，其中所述凹坑層的形成速率介于1~6微米/小時。

7.根據權利要求1所述發光二極管的制造方法，其中所述凹坑層的厚度小于或等于6微米。

8.根據權利要求1所述發光二極管的制造方法，其中所述凹坑層的孔徑小于或等于6微米。

9.根據權利要求1所述發光二極管的制造方法，其中所述發光組件的形成步驟包含：

形成一n型摻雜層于所述凹坑層上，該n型摻雜層填滿所述凹坑；

形成一主動層于所述n型摻雜層上；及

形成一p型摻雜層于所述主動層上。

10.根據權利要求1所述發光二極管的制造方法，其中所述發光組件的形成步驟包含：

形成一中間層于所述凹坑層上，該中間層填滿所述凹坑；

形成一n型摻雜層于所述中間層上；

形成一主動層于所述n型摻雜層上；及

形成一p型摻雜層于所述主動層上。

11.一種發光二極管，包含：

一圖案化基板，該圖案化基板具有多個突出部分，且相鄰所述突出部分之間具有平坦區域；

至少一緩沖層，形成于所述圖案化基板上，其中該緩沖層至少填滿所述圖案化基板之突出部分之間的空隙；

一凹坑層，形成于所述緩沖層上，該凹坑層具有多個凹坑；及

一發光組件，形成于所述凹坑層上，并填滿所述凹坑。

12.根據權利要求11所述之發光二極管，其中所述圖案化基板包含圖案化藍寶石基板。

13.根據權利要求11所述之發光二極管，其中所述圖案化基板包含：

一基層；及

一圖案層，形成于所述基層上，其中該圖案層具有所述多個突出部分。

14.根據權利要求13所述之發光二極管，其中所述基層的材質包含：砷化鎵、鍺表面形成鍺化硅、硅表面形成碳化硅、鋁表面形成氧化鋁、氮化鎵、氮化銦、氮化鋁、藍寶石、玻璃、石英或上述之組合。

15.根據權利要求13所述之發光二極管，其中所述圖案層的材質包含：二氧化硅、碳化硅、氮化硅或上述之組合。

16.根據權利要求11所述之發光二極管，其中所述緩沖層高于所述突出部分之高度等于或大于5納米。

17.根據權利要求11所述之發光二極管，其中所述緩沖層高于所述突出部分之高度等于或小于100納米。

18.根據權利要求11所述之發光二極管，其中所述緩沖層包含未摻雜氮化鎵、n型氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁鎵、氮化鎂、氮化硅或其任意組合。

19.根據權利要求11所述之發光二極管，還包含：

一成核層，形成于所述圖案化基板與所述緩沖層之間。

20.根據權利要求11所述之發光二極管，其中所述凹坑層的厚度小于或等于6微米。

21.根據權利要求11所述之發光二極管，其中所述凹坑層的孔徑小于或等于6微米。