[發明專利]橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201210143439.0 | 申請日： | 2012-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN102683187A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 劉正超 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 橫向 擴散 金屬 氧化物 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件制造方法，其特征在于包括：
在襯底中形成P阱；
在P阱中形成P型重摻雜區，并且在P阱中形成N型漂移區；
在P型重摻雜區中形成源極區域；
在N型漂移區中形成漏極接觸區；以及
沉積柵極氧化物并形成多晶硅柵極；
其中，在P阱中形成N型漂移區的步驟包括：
第一離子步驟，用于執行注入能量為650keV的磷注入；
第二離子步驟，用于執行注入能量為450keV的磷注入；
第三離子步驟，用于執行注入能量為140keV的磷注入；以及
第四離子步驟，用于執行注入能量為300keV的砷注入。
2.根據權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件制造方法，其特征在于，在P阱中形成N型漂移區的步驟中，依次執行所述第一離子步驟、所述第二離子步驟、所述第三離子步驟以及所述第四離子步驟。
3.根據權利要求1或2所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件制造方法，其特征在于還包括：在P型重摻雜區中形成位于源極區域的與橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件的溝道相對的一側的隔離器。
4.根據權利要求3所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件制造方法，其特征在于還包括：所述隔離器與源極區域的摻雜類型相反。
5.根據權利要求1或2所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件制造方法，其特征在于還包括：在漏極接觸區周圍形成第一淺溝槽隔離區。
6.根據權利要求3所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件制造方法，其特征在于還包括：在隔離器的與源極區域相對的一側形成第二淺溝槽隔離區。
7.一種根據權利要求1至6之一所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件制造方法制成的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海宏力半導體制造有限公司，未經上海宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210143439.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
