[發明專利]圖像傳感器制造方法以及圖像傳感器

有效

• 申請號: 201210143435.2
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN102683371B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 饒金華;張克云;孫玉紅
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種圖像傳感器制造方法，圖其特征在于包括：

對浮置擴散區進行離子注入形成阱區；通過第一掩模板形成第一光阻，定義出感光二極管區；利用第一光阻在襯底中進行離子注入形成第一摻雜層，作為感光二極管；通過將第一光阻輕度灰化來形成第二光阻；利用第二光阻進行離子注入,在靠近硅表面形成第二摻雜層；通過第二掩膜板形成第三光阻，定義出防漏電區;利用第三光阻進行離子注入形成第三摻雜層，形成防漏電區;然后繼續進行離子注入，在靠近硅表面形成第四摻雜層;第二摻雜層與第四摻雜層部分重疊而連為一體，共同作為調整傳輸管閾值電壓的摻雜層。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器制造方法，將第一光阻輕度灰化形成第二光阻，灰化工藝根據實際需求而定,確保第二摻雜層和第四摻雜層部分重疊。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器制造方法，其特征在于還包括：在所述襯底上形成傳輸晶體管的柵介質層和柵極，傳輸晶體管的柵極位于第二摻雜層與第四摻雜層的上方。

4.根據權利要求3所述的圖像傳感器制造方法，其特征在于還包括：在所述柵極周圍形成側墻，隨后對所述阱區進行離子注入形成傳輸晶體管的源極。

5.根據權利要求1至4之一所述的圖像傳感器制造方法，其特征在于，利用感光二極管掩模板和防漏電區掩模板形成調整傳輸晶體管閾值電壓的摻雜層，而無需增加額外的掩模板;通過P型離子注入來調節傳輸管閾值電壓的摻雜層。

6.根據權利要求1至4之一所述的圖像傳感器制造方法，其特征在于，通過P型離子注入來形成阱區。

7.一種圖像傳感器，其特征在于包括：襯底、感光二極管及其上方第二摻雜層、防漏電區及其上方第四摻雜層、浮置擴散區、柵極多晶硅；襯底上布置了感光二極管及其上方第二摻雜層；防漏電區及其上方第四摻雜層，以及浮置擴散區；其中第二摻雜層靠近硅表面，感光二極管位于其下方；第四摻雜層靠近硅表面，防漏電層位于其下方,浮置擴散區和感光二極管區位于傳輸管柵極的兩側。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其特征在于，第二摻雜層和第四摻雜層為P型離子摻雜。

9.根據權利要求7或8所述的傳輸晶體管，其特征在于，浮置擴散區的阱區為P型離子摻雜。

10.一種圖像傳感器，其特征在于包括根據權利要求7至9之一所述的傳輸晶體管。