[發(fā)明專利]EEPROM存儲單元以及EEPROM存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210143432.9 | 申請日： | 2012-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN102682845B | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊光軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/06 | 分類號： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | eeprom 存儲 單元 以及 存儲器 | ||
本發(fā)明提供了一種EEPROM存儲單元以及EEPROM存儲器。根據(jù)本發(fā)明的EEPROM存儲單元包括：主存儲器件、次存儲器件、以及字線控制器件；其中主存儲器件的源極連接至EEPROM存儲單元的主位線、主存儲器件的漏極連接至字線控制器件的源極，字線控制器件的漏極連接至次存儲器件的源極，次存儲器件的漏極連接至EEPROM存儲單元的次位線。主存儲器件的柵極作為主控制柵極，次存儲器件的柵極作為次控制柵極，字線控制器件的柵極連接EEPROM存儲單元的字線。只使用次存儲器件和主存儲器件中的一個，并且次存儲器件和主存儲器件中的另一個存儲器件則作為備用單元。次存儲器件和主存儲器件被一起擦除。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種EEPROM存儲單元以及EEPROM存儲器。
背景技術(shù)
電可擦可編程只讀存儲器EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的半導(dǎo)體存儲器。
而閃存（Flash memory）也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于電可擦可編程只讀存儲器EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品。閃存的最大特點是必須按塊（Block）擦除(每個區(qū)塊的大小不定，不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格)，而電可擦可編程只讀存儲器EEPROM則可以一次只擦除一個字節(jié)（Byte）。
希望能夠提供一種可以結(jié)合電可擦可編程只讀存儲器EEPROM和閃存的優(yōu)點的存儲器。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種可以結(jié)合電可擦可編程只讀存儲器EEPROM和閃存的優(yōu)點的存儲器。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種EEPROM存儲單元，其包括：主存儲器件、次存儲器件、以及字線控制器件；其中主存儲器件的源極連接至EEPROM存儲單元的主位線、主存儲器件的漏極連接至字線控制器件的源極，字線控制器件的漏極連接至次存儲器件的源極，次存儲器件的漏極連接至EEPROM存儲單元的次位線。
優(yōu)選地，在所述的EEPROM存儲單元中，主存儲器件的柵極作為主控制柵極，次存儲器件的柵極作為次控制柵極，字線控制器件的柵極連接EEPROM存儲單元的字線。
優(yōu)選地，在所述的EEPROM存儲單元中，只使用次存儲器件和主存儲器件中的一個，并且次存儲器件和主存儲器件中的另一個存儲器件則作為備用單元。
優(yōu)選地，在所述的EEPROM存儲單元中，次存儲器件和主存儲器件被一起擦除。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種EEPROM存儲器，其特征在于包括：多個字節(jié)陣列以及與各個字節(jié)陣列相連接的字線及控制柵極切換單元，其中，字線及控制柵極切換單元連接至各個字節(jié)陣列的主控制柵極、次控制柵極和字線，并且其中，每個字節(jié)陣列中的每個存儲單元都具有根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的EEPROM存儲單元的結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地，在所述的EEPROM存儲器中，字線及控制柵極切換單元用于在編程操作和擦除操作時控制各個字節(jié)陣列的主控制柵極、次控制柵極和字線以便將各個字節(jié)陣列隔開。
優(yōu)選地，在所述的EEPROM存儲器中，字線及控制柵極切換單元包括晶體管陣列。
優(yōu)選地，在所述的EEPROM存儲器中，在每個字節(jié)陣列中，同一行的EEPROM存儲單元的主控制柵極、次控制柵極和字線分別連接在一起，同一列的EEPROM存儲單元的主位線和次位線分別連接在一起。
在根據(jù)本發(fā)明的EEPROM存儲單元及EEPROM存儲器中，由于可以利用備用單元來替換主存儲單元，所以根據(jù)本發(fā)明的EEPROM存儲單元的循環(huán)耐久性相對于作為閃存存儲單元的使用情況來說提高了一倍。并且，根據(jù)本發(fā)明實施例的EEPROM存儲單元及EEPROM存儲器的其它性能并未下降。
附圖說明
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，未經(jīng)上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210143432.9/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
