[發明專利]抑制熱載流子注入的方法及BiCMOS器件制造方法在審

申請號：	201210143431.4	申請日：	2012-05-09
公開（公告）號：	CN102683186A	公開（公告）日：	2012-09-19
發明（設計）人：	林益梅	申請（專利權）人：	上海宏力半導體制造有限公司
主分類號：	H01L21/265	分類號：	H01L21/265;H01L21/8249;H01L29/08;H01L27/06
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237	代理人：	鄭瑋
地址：	201203 上海市浦***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	抑制載流子注入方法 bicmos 器件制造
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【權利要求書】：

1.一種抑制BiCMOS器件的熱載流子注入的方法，其特征在于包括：在形成p型的輸入輸出MOS晶體管的源極和漏極的離子注入步驟中分別執行銦離子注入步驟和硼離子注入步驟；其中，銦離子注入步驟用于對硅片進行銦離子注入；硼離子注入步驟用于在銦離子注入步驟之后對硅片的執行了銦離子注入的同一區域進行硼離子注入。

2.一種BiCMOS器件制造方法，其特征在于，其中形成p型的輸入輸出MOS晶體管的過程包括下述步驟：

首先執行柵極形成步驟，用于在硅片上形成柵極；

此后執行銦離子注入步驟和硼離子注入步驟以形成p型的輸入輸出MOS晶體管的源極和漏極；其中，銦離子注入步驟用于在柵極形成步驟之后對硅片進行銦離子注入，硼離子注入步驟用于在銦離子注入步驟之后對硅片的執行了銦離子注入的同一區域進行硼離子注入。

3.根據權利要求2所述的BiCMOS器件制造方法，其特征在于所述BiCMOS器件制造方法用于制造0.18um的BiCMOS中的輸入輸出MOS晶體管。

4.根據權利要求2所述的BiCMOS器件制造方法，其特征在于所述BiCMOS器件制造方法用于制造0.18um的BiCMOS中的3.3V的PMOS晶體管。

5.一種根據權利要求2至4之一所述的BiCMOS器件制造方法制成的BiCMOS器件，其中BiCMOS器件中的p型的輸入輸出MOS晶體管的源極和漏極中注入有銦離子和硼離子。

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