[發(fā)明專利]提高擊穿電壓的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210143418.9
• 申請(qǐng)日: 2012-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN102683216A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任棟梁;錢亮;李冰寒;胡勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種提高擊穿電壓的方法，其特征在于：在嵌入式閃存高壓量測(cè)前，將晶體管的柵極和源極接地，漏極加一電流以在漏極產(chǎn)生最大通道橫向電場(chǎng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高擊穿電壓的方法，其特征在于：所述電流大于2毫安。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高擊穿電壓的方法，其特征在于：所述晶體管為HVNMOS。