[發明專利]發光角度收斂的圖案化基材及發光二極管元件

無效

• 申請號: 201210143393.2
• 申請日: 2012-05-10
• 公開（公告）號: CN103390706A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 廖冠詠;楊玉蓮;賴彥霖
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，主要在基板的表面設有多個封閉的幾何形狀區域，所述幾何形狀區域由至少三個條狀體所圍設形成。

2.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述幾何形狀選自三角形、四角形以及六角形所構成的群組。

3.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述條狀體呈周期性分布，且兩兩平行的所述條狀體具有相同的節距。

4.如權利要求3所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述節距介于1.0~5.0μm之間。

5.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述條狀體的截面為三角形或圓弧形其中之一。

6.如權利要求5所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述圓弧形的曲率系介于10^-5~2.0μm^-1之間。

7.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述條狀體形成于所述基板(0001)方向。

8.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述基板選自藍寶石、碳化硅、硅、砷化鎵、氧化鋅以及具有六方體系結晶材料所構成的群組。

9.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述條狀體選自藍寶石、氮化鋁、碳化硅、硅以及二氧化硅所構成的群組。

10.如權利要求9所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述條狀體由二氧化硅或氮化鋁材質所形成。

11.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述條狀體的高度介于0.5~3.0μm之間。

12.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述條狀體在所述基板上的投影距離介于1.0~4.0μm之間。

13.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，兩兩平行的所述條狀體間的最短距離介于0.1~1.5μm之間。

14.如權利要求1所述的發光角度收斂的圖案化基材，其特征在于，所述條狀體包括有一底面，以及相鄰所述底面且彼此以所述底面的中垂面呈鏡像對稱的二側面，所述二側面的相接線沿著所述側面至所述底面的最短距離與兩兩平行條狀體間的最短距離的比例介于1~5之間。

15.一種發光二極管元件，其特征在于，其至少包含有：

一種圖案化基材；

一以三族氮化物半導體材料外延形成于所述圖案化基材上的外延膜；以及

二相配合地提供電能的電極；其中，所述圖案化基材主要在基板的表面設有多個封閉的幾何形狀區域，所述幾何形狀區域由至少三個條狀體所圍設形成。

16.如權利要求15所述的發光二極管元件，其特征在于，所述外延膜具有一設于所述圖案化基材上的n型半導體層、一設于所述n型半導體層上的主動發光層，以及一設于所述主動發光層上的p型半導體層，且所述二電極分別為一以歐姆接觸設于所述p型半導體層上的p型電極，以及一以歐姆接觸設于所述n型半導體層上的n型電極。

17.如權利要求16所述的發光二極管元件，其特征在于，在所述p型半導體層與所述p型電極間進一步設有一透明導電層。

18.如權利要求17所述的發光二極管元件，其特征在于，所述透明導電層的材質包括銦錫氧化物、摻鋁氧化鋅以及銦鋅氧化物所構成的群組。

19.如權利要求15所述的發光二極管元件，其特征在于，所述三族氮化物為氮化鋁、氮化鎵、氮化銦、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵以及氮化鋁銦鎵其中之一或兩者以上的混合。