[發(fā)明專利]一種高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池及制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210143382.4
• 申請(qǐng)日: 2012-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN102664213A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蒼利民;萬(wàn)志剛;閻韜;丁萬(wàn)勇;劉衛(wèi)慶;劉志輝;陳林濮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河南安彩高科股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/055
• 分類號(hào): H01L31/055;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 鄭州聯(lián)科專利事務(wù)所(普通合伙) 41104
• 代理人: 時(shí)立新

1.一種高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池，包括從下至上依次堆疊的透明絕緣基板、前電極層、光電轉(zhuǎn)換層、背電極層和反射層，其特征在于：所述的透明絕緣基板表面和/或背電極層與反射層之間設(shè)置有光致發(fā)光材料層，反射層為金屬反射層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述的光致發(fā)光材料層為稀土發(fā)光材料層，光致發(fā)光材料的基質(zhì)材料為氧化物、氟化物、鹵化物或硫化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述的透明絕緣基板表面設(shè)置的光致發(fā)光材料層為下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層，背電極層與反射層之間設(shè)置的光致發(fā)光材料層為上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述設(shè)置在透明絕緣基板表面的下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層位于透明絕緣基板的上表面和/或下表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述的金屬反射層為采用銀、鋁、鎳、鈦或其合金構(gòu)成的反射層，前電極層和背電極層為透明導(dǎo)電氧化物。

6.一種高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

A:在透明絕緣基板的上表面和/或下表面沉積下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層；

B:?如果下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層僅沉積在透明絕緣基板的下表面，則直接在透明絕緣基板的上表面沉積前電極層；如果透明絕緣基板的上表面沉積有下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層，則在下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層上沉積前電極層；

C:利用激光刻槽后沉積光電轉(zhuǎn)換層；

D:利用激光刻槽后沉積背電極層，并利用激光刻槽后形成太陽(yáng)能電池內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)；

E:在背電極層沉積上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層；

F:在上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層表面沉積反射層，反射層為金屬反射層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池制備方法，其特征在于：所述A步驟與B步驟中的下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層和E步驟與F步驟中的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層為稀土發(fā)光材料層，上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料和下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的基質(zhì)材料為氧化物、氟化物、鹵化物或硫化物。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池制備方法，其特征在于：所述A步驟中下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料層沉積在透明絕緣基板上表面和/或下表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池制備方法，其特征在于：所述A步驟中沉積下轉(zhuǎn)換發(fā)光材料和E步驟中沉積上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的方法采用噴涂法、滾涂法、蒸鍍法、濺射法或化學(xué)氣相沉積法。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池制備方法，其特征在于：所述的前電極層和背電極層為透明導(dǎo)電氧化物，金屬反射層采用銀、鋁、鎳、鈦或其合金構(gòu)成的反射層。