[發(fā)明專利]一種氮化鎵納米線及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210143302.5 | 申請日： | 2012-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN103387213A | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊蓉;張營;王琛 | 申請（專利權）人： | 國家納米科學中心 |
| 主分類號： | C01B21/06 | 分類號： | C01B21/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產(chǎn)權代理有限公司 11283 | 代理人： | 王浩然;周建秋 |
| 地址： | 100190 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種制備氮化鎵納米線的方法，其特征在于，該方法包括：在常壓下，將單質(zhì)鎵、氧化鎵與含有氨氣的氣體在負載有制備氮化鎵納米線的催化劑的襯底上進行化學氣相沉積。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，相對于每克氧化鎵，所述含有氨氣的氣體以氨氣計的流量為30-50sccm。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中，所述化學氣相沉積在單質(zhì)碳存在下進行，優(yōu)選所述單質(zhì)鎵、氧化鎵與單質(zhì)碳的質(zhì)量比為0.5-1.5∶1∶0.25-1。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中，所述化學氣相沉積的條件包括：溫度為900-1000℃；升溫速度為10-20℃/min；化學氣相沉積時間為0.25-1小時；載氣為惰性氣體；相對于每克氧化鎵，載氣氣流為10-30sccm。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中，所述襯底為硅片、石英片和三氧化二鋁片中的一種或多種。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中，所述制備氮化鎵納米線的催化劑的活性組分中含有金元素、鎳元素、鐵元素、錫元素、銦元素、銅元素和鋅元素中的一種或多種。
7.權利要求1-6中任意一項所述的方法制備得到的氮化鎵納米線。
8.根據(jù)權利要求7所述的氮化鎵納米線，其中，所述氮化鎵納米線具有周期性結構。
9.根據(jù)權利要求8所述的氮化鎵納米線，其中，所述氮化鎵納米線的平均直徑為10-500nm；氮化鎵納米線的長度為0.01-100μm；氮化鎵納米線的生長方向為[0001]。
10.根據(jù)權利要求8所述的氮化鎵納米線，其中，所述氮化鎵納米線在XRD圖譜中的2θ在32.5°處、34.7°處、36.9°處、48.2°處、57.8°處、63.8°處有衍射峰；在光致發(fā)光光譜中的375nm處有光致發(fā)光峰。
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