[發明專利]晶體硅太陽電池及其制作方法

在審

• 申請號: 201210142825.8
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN103390675A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 郭群超;柳琴;龐宏杰;王凌云;白曉宇;張愿成;張瀅清
• 申請（專利權）人: 上海太陽能工程技術研究中心有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 楊元焱

1.一種晶體硅太陽電池，其特征在于：包括制有PN結的晶體硅片，在制有PN結的晶體硅片的正面和背面分別沉積一層透明導電薄膜，在正面和背面的透明導電薄膜上分別電鍍銅柵線電極。

2.如權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述的透明導電薄膜的厚度為20nm-80nm；所述的銅柵線電極的寬度為30μm-60μm。

3.如權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述的透明導電薄膜為ITO薄膜、ZnO薄膜、IWO薄膜或TiO₂薄膜。

4.如權利要求1所述的晶體硅太陽電池的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

A、以晶體硅片作為襯底，用堿液對襯底表面進行清洗和表面織構化處理；

B、對襯底通過熱擴散的方法進行磷摻雜制備PN結；

C、采用濕法或干法刻邊，去掉擴散后造成的邊緣短路；

D、采用氫氟酸腐蝕的方法去除磷硅玻璃；

E、采用磁控濺射或RPD的方法在制有PN結的晶體硅片的正面和背面分別沉積一層透明導電薄膜；

F、在正面和背面的透明導電薄膜上分別電鍍銅柵線電極。

5.如權利要求4所述的晶體硅太陽電池的制作方法，其特征在于：步驟A中所述的作為襯底的晶體硅片為P型晶體硅片。