[發明專利]有機金屬化學汽相沉積的方法與裝置

無效

• 申請號: 201210142615.9
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN103046019A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 黃智勇;陳思豪;王慶鈞;陳建志
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18;C23C16/44
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種有機金屬化學汽相沉積的方法，包括：

提供基板，于該基板的第一表面具有金屬基材料層；

將該基板放置于腔體內的基座上，且該金屬基材料層介于該基板與該基座之間；以及

對該基板的第二表面進行有機金屬化學汽相沉積制程，其中該第二表面位于該第一表面的相對側，且

該金屬基材料層的熱傳導系數與該基板的熱傳導系數的差值在1W/m·°C~20W/m·°C之間，

該金屬基材料層的熱膨脹系數與該基板的熱膨脹系數在同一數量級。

2.如權利要求1所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中該金屬基材料層能耐1000°C以上的溫度。

3.如權利要求1所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中該金屬基材料層的電阻率的范圍在同一數量級內。

4.如權利要求1所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中該金屬基材料層的厚度為1μm~10μm。

5.如權利要求1所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中進行該有機金屬化學汽相沉積制程，以便于該基板的該第二表面形成半導體元件。

6.如權利要求5所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中該金屬基材料層是該半導體元件的電極。

7.如權利要求1所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中該金屬基材料層包括金屬或金屬化合物。

8.如權利要求7所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中該金屬基材料層包括鉬、鉭、鈮或鉑。

9.如權利要求1所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中該金屬基材料層全面性地形成在該基板的該第一表面上。

10.如權利要求1所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中進行該有機金屬化學汽相沉積制程期間，還包括旋轉該基座。

11.如權利要求10所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中旋轉該基座的轉速低于20rpm。

12.如權利要求1所述的有機金屬化學汽相沉積的方法，其中進行該有機金屬化學汽相沉積制程期間，還包括往該腔體內均勻進氣。

13.一種有機金屬化學汽相沉積裝置，至少包括：

腔體；以及

基座，位于該腔體內，用以承放基板并對該基板加熱，其中

該基板與該基座之間有金屬基材料層，

該金屬基材料層的熱傳導系數與該基板的熱傳導系數的差值在1W/m·°C~20W/m·°C之間，

該金屬基材料層的熱膨脹系數與該基板的熱膨脹系數在同一數量級。

14.如權利要求13所述的有機金屬化學汽相沉積裝置，其中該金屬基材料層能耐1000°C以上的溫度。

15.如權利要求13所述的有機金屬化學汽相沉積裝置，其中該金屬基材料層的電阻率的范圍在同一數量級內。

16.如權利要求13所述的有機金屬化學汽相沉積裝置，其中該金屬基材料層的厚度為1μm~10μm。

17.如權利要求13所述的有機金屬化學汽相沉積裝置，其中該金屬基材料層包括金屬或金屬化合物。

18.如權利要求17所述的有機金屬化學汽相沉積裝置，其中該金屬基材料層包括鉬、鉭、鈮或鉑。

19.如權利要求13所述的有機金屬化學汽相沉積裝置，其中該金屬基材料層全面性地形成在該基板的表面。

20.如權利要求13所述的有機金屬化學汽相沉積裝置，其中該金屬基材料層位于該基座的表面。

21.如權利要求13所述的有機金屬化學汽相沉積裝置，其中該基板與該基座是互不接觸的。

22.如權利要求13所述的有機金屬化學汽相沉積裝置，還包括連接該腔體的氣體供應系統。