[發(fā)明專利]適用于大功率GaN基LED芯片的網(wǎng)絡狀電極無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210142394.5 | 申請日： | 2012-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN102709432A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊旅云;張國龍;曹鳳凱;劉獻偉;張宇欣;趙明;田光磊;吳東平;陳曉鵬;常志偉;李浩 | 申請（專利權）人： | 施科特光電材料(昆山)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽;曾人泉 |
| 地址： | 215341 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 適用于 大功率 gan led 芯片 網(wǎng)絡 電極 | ||
1.?一種適用于大功率GaN基LED芯片的網(wǎng)絡狀電極，含有襯底、P型電極和N型電極，在所述襯底的P型氮化鎵GaN的表面覆蓋有ITO薄膜層，其特征在于，所述襯底由網(wǎng)絡狀的溝槽（2）分割成若干對稱分布的臺面（1），所述溝槽（2）深入到臺面（1）N型的GaN層，但不對N型的GaN層作分割，而是將N型的GaN層及其外延的N型GaN層之上的量子阱層、超晶格層分割為互不相連的部分；沿臺面（1）外圈的溝槽（2）形成“L”形臺面；所述P型電極包含P型金屬電極（6）和P型金屬焊盤，設置在臺面（1）表面的P型ITO薄膜層（3）上；所述N型電極為包含N型金屬電極（4）與N型金屬焊盤（6）的網(wǎng)絡狀電極，所述N型金屬電極（4）為相互交錯形成網(wǎng)絡狀的條形電極，設置在臺面（1）的臺面結構上，被二氧化硅鈍化層或者氮化硅鈍化層掩埋并與由臺面（1）邊緣和所述的溝槽（2）相隔離；所述N型金屬焊盤（5）設置在所述網(wǎng)絡狀的N型金屬電極（4）的節(jié)點處，由所述的臺面（1）邊緣與所述的溝槽（2）相隔離或者是由所述的溝槽（2）相隔離。
2.?根據(jù)權利要求1所述的適用于大功率GaN基LED芯片的網(wǎng)絡狀電極，其特征在于，所述的襯底為矩形結構，其長與寬至少為762微米。
3.?根據(jù)權利要求1所述的適用于大功率GaN基LED芯片的網(wǎng)絡狀電極，其特征在于，所述的P型金屬電極（6）為相互交錯形成網(wǎng)絡狀的條形電極，設置在所述臺面（1）表面的ITO薄膜層上，所述P型金屬焊盤（7）設置在所述網(wǎng)絡狀的P型金屬電極（6）連接的節(jié)點處。
4.?根據(jù)權利要求1所述的適用于大功率GaN基LED芯片的網(wǎng)絡狀電極，其特征在于，所述P型金屬電極（6）由單獨的P型金屬焊盤（7）構成，設置在所述臺面（1）表面的ITO薄膜層上。
5.?根據(jù)權利要求1所述的適用于大功率GaN基LED芯片的網(wǎng)絡狀電極，其特征在于，所述的N型金屬電極（4）與N型金屬焊盤（5）以及所述的P面金屬電極（6）與P面金屬焊盤（7）至少具有中心反演對稱性和繞垂直于芯片中心法線的二次軸對稱性及四次軸對稱性。
6.?根據(jù)權利要求1所述的適用于大功率GaN基LED芯片的網(wǎng)絡狀電極，其特征在于，所述的P面金屬電極（6）采用與N型金屬電極（4）相同或者不同的材料。
7.?根據(jù)權利要求1所述的適用于大功率GaN基LED芯片的網(wǎng)絡狀電極，其特征在于，所述P面金屬電極（6）與所述N型金屬電極（4）為由導電性能優(yōu)于ITO薄膜的導電材料制作的條形電極。
8.?根據(jù)權利要求7所述的適用于大功率GaN基LED芯片的網(wǎng)絡狀電極，其特征在于，所述導電性能優(yōu)于ITO薄膜的導電材料為二氧化錫SnO2質(zhì)量百分比大于等于10%的ITO材料。
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