[發明專利]覆晶載板的錫球凸塊的回焊與整平方法及其回焊整平設備有效
| 申請號: | 201210142053.8 | 申請日: | 2012-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN103390561A | 公開(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發明(設計)人: | 費耀祺 | 申請(專利權)人: | 鴻騏新技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 馮志云;呂俊清 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 覆晶載板 錫球凸塊 平方 及其 回焊整平 設備 | ||
1.一種覆晶載板的錫球凸塊的回焊與整平方法,其特征在于,包括:
提供一基板載臺于一容置腔體內,將一覆晶載板置于該基板載臺上,該覆晶載板形成有多個錫球凸塊;
提供一具加熱能力的壓合頭座于該基板載臺的上方,該壓合頭座具有一平坦底面;
提供一蓋體,蓋合該容置腔體以形成一密閉腔室;
灌入氮氣于該密閉腔室內,然后抽取真空;
加熱該基板載臺以使這些錫球凸塊到達熔點,并加熱該壓合頭座到接近這些錫球凸塊的熔點;
向下移動該壓合頭座,使該壓合頭座接觸該覆晶載板上的這些錫球凸塊達一預定的時間,使這些錫球凸塊的頂緣呈平面狀且呈共平面;
降低該壓合頭座的溫度,然后移開該壓合頭座;
移開該蓋體;及
移出該覆晶載板。
2.如權利要求1所述的覆晶載板的錫球凸塊的回焊與整平方法,其特征在于,加熱該基板載臺的步驟,包括進一步提供一下熱源于該基板載臺的下方,以及一設置于該容置腔體外面的保護氣體裝置,該保護氣體裝置以至少一熱氣管連接至該容置腔體內。
3.如權利要求2所述的覆晶載板的錫球凸塊的回焊與整平方法,其特征在于,進一步包括通過該熱氣管通入氣體狀助焊劑于該容置腔體內。
4.如權利要求1所述的覆晶載板的錫球凸塊的回焊與整平方法,其特征在于,該壓合頭座以陶瓷材料制成。
5.如權利要求1所述的覆晶載板的錫球凸塊的回焊與整平方法,其特征在于,加熱該壓合頭座的步驟為加熱至低于這些錫球熔點10±5℃,然后向下移動該壓合頭座以接觸這些錫球凸塊。
6.一種覆晶載板的錫球凸塊的回焊整平設備,其特征在于,包括:
一容置腔體,連接至少一氣體管體;
一基板載臺,設置于該容置腔體內,用以承載一具有錫球凸塊的覆晶載板;
一下熱源,設于該容置腔體內以加熱該基板載臺;
一蓋體,可移動地覆蓋于該容置腔體以形成一密封腔室;
一壓合頭座,可移動地設于該基板載臺的上方,具有一平坦底面用以壓平這些錫球凸塊、及一熱源設置于其內。
7.如權利要求6所述的覆晶載板的錫球凸塊的回焊整平設備,其特征在于,進一步包括一設置于該容置腔體外面的保護氣體裝置,該保護氣體裝置以至少一熱氣管連接至該容置腔體內。
8.如權利要求7所述的覆晶載板的錫球凸塊的回焊整平設備,其特征在于,進一步包括通過該熱氣管連通至該容置腔體內的助焊劑供應器。
9.如權利要求7所述的覆晶載板的錫球凸塊的回焊整平設備,其特征在于,進一步包括:一載板輸送設備,位于該容置腔體的外面以輸送多個該覆晶載板;及一機械手臂,以移動該覆晶載板于該容置腔體內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





