[發明專利]一種肖特基半導體裝置及其制備方法有效
| 申請號： | 201210141953.0 | 申請日： | 2012-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN103378172B | 公開（公告）日： | 2017-02-08 |
| 發明（設計）人： | 朱江 | 申請（專利權）人： | 朱江 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/36;H01L21/329 |
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| 地址： | 113200 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 肖特基 半導體 裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為半導體材料構成；
電荷補償結構，位于襯底層之上，為第一導電半導體材料和第二導電半導體材料交替排列構成；
絕緣材料，位于第二導電半導體材料上表面；
肖特基勢壘結，位于第一導電半導體材料上表面。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的襯底層為高濃度雜質摻雜的半導體材料。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的襯底層可以為高濃度雜質摻雜的半導體材料層和低濃度雜質摻雜的半導體材料層的疊加層。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的電荷補償結構可以為半超結結構，即在傳統超結結構中的漂移層底部增加一個第一導電半導體材料層或第二導電半導體材料層。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢壘結為勢壘金屬與第一導電半導體材料形成的結。
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的半導體裝置接一定的反向偏壓時，第一導電半導體材料與第二導電半導體材料可以形成電荷補償。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的絕緣材料完全覆蓋第二導電半導體材料上表面。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的絕緣材料可以部分覆蓋第一導電半導體材料上表面。
9.如權利要求1所述的一種肖特基半導體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)在襯底層表面形成第一導電半導體材料層，然后表面形成一種絕緣介質；
2)進行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣介質，然后刻蝕去除部分裸露半導體材料形成溝槽；
3)在溝槽內形成第二導電半導體材料，進行表面平整化；
4)在半導體材料表面形成一種絕緣介質，進行光刻腐蝕工藝去表面除部分絕緣介質；
5)淀積勢壘金屬，進行燒結形成肖特基勢壘結。
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