[發明專利]雙面圖形化透明導電膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210141850.4
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN102708946A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 高育龍;崔錚
• 申請（專利權）人: 崔錚
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249
• 代理人: 高松

技術領域

本發明涉及透明導電膜及其制備技術領域，特別是指一種雙面圖形化透明導電膜及其制備方法。

背景技術

透明導電膜是具有良好導電性，和在可見光波段具有高透光率的一種薄膜。目前透明導電膜已廣泛應用于平板顯示、光伏器件、觸控面板和電磁屏蔽等領域，具有極其廣闊的市場空間。

ITO一直主導著透明導電膜的市場。但是在諸如觸摸屏等大多數實際應用中，往往需要曝光、顯像、蝕刻及清洗等多道工序對透明導電膜進行圖形化。相較而言，使用印刷法或者銀鹽法直接在基材的指定區域形成金屬網格，可以省去圖形化的工藝過程，具有低污染、低成本等諸多優點。日本公司大日本印刷、富士膠片和郡士，以及德國公司PolyIC都分別使用印刷方法獲得了性能優異的圖形化透明導電薄膜。其中PolyIC所獲得的圖形分辨率為15um，表面方阻0.4–1Ω/sq，透光率大于80%。

一種基于埋入式圖形化金屬網格類的透明導電膜，其中PET基底的透明導電膜透過率大于87%，玻璃基底的透明導電膜透過率大于90%；方阻均小于10Ω/sq；特別是金屬線條的分辨率小于3μm。但是目前很多觸摸屏廠商為了進一步降低成本和減薄觸控模組，更加重視雙面圖形化透明導電膜的研發。

現有的埋入式圖形化透明導電膜的溝槽是基于壓印技術形成的。因此制備雙面圖形化透明導電膜就必須解決大幅面卷對卷雙面對準壓印的技術。然而這技術目前尚不成熟。

有鑒于此，一種用以回避雙面壓印所面臨的對準問題的雙面圖形化透明導電膜的出現就很有必要了。

發明內容

本發明提出一種雙面圖形化透明導電膜及其制備方法，解決了現有技術中???卷對卷壓印過程中需要雙面對準的技術問題。

本發明的技術方案是這樣實現的：

一種雙面圖形化透明導電膜，包括上表面導電層和下表面導電層，所述雙面圖形化透明導電膜的上表面導電層是圖形化的溝槽網絡，所述的下表面導電層是全表面的溝槽網絡；所述的上表面導電層的溝槽中均填充有導電材料；所述的下表面導電層溝槽中間斷填充導電材料。

進一步的，所述的溝槽網絡是以多邊形溝槽為基本單元的溝槽組合，其中所述基本單元的形狀至少包括正方形、矩形、圓形、等六邊形、等三邊形中的一種或幾種的復用。

作為優選的技術方案，所述的下表面導電層溝槽中間斷填充導電材料是使用圖形化技術將下表面溝槽網絡中的導電材料間斷出現。

作為優選的技術方案，所述雙面圖形化透明導電膜的上表面導電層的溝槽網絡至少有兩種網格密度。

作為優選的技術方案，所述的網格密度中至少有一種網格的相對透過率大于90%；至少有一種相對透過率小于80%。

作為優選的技術方案，所述雙面圖形化透明導電膜的下表面導電層溝槽網絡的相對透過率大于90%。

一種雙面圖形化透明導電膜的制備方法，包括以下步驟：

1）基于壓印技術在中間層上表面制作圖形化的溝槽網絡；

2）基于壓印技術在中間層下表面制作全表面的溝槽網絡；

3）分別在中間層的上表面和下表面溝槽中填充導電材料；

4）根據上表面的對準標記，將下表面填充導電材料的無圖案溝槽網絡圖形化。

作為優選的技術方案，所述壓印技術為熱壓印或紫外壓印。

作為優選的技術方案，所述上表面的對準標記是上表面網格密度較大的區域作為下表面導電膜圖形化的對準標記；所述的網格密度至少有一種網格的相對透過率大于90%，至少有一種相對透過率小于80%。

作為優選的技術方案，所述的下表面填充導電材料的無圖案溝槽網絡圖形化是在下表面貼附負性干膜，將上表面的對準標記和菲林膜的對準標記對準，用紫外光對負性干膜曝光；然后在顯影液中顯影，被曝光的區域會在顯影過程中保留下來，沒有被曝光的區域會被清除，被覆蓋的導電材料將裸露出來，將所述雙面透明導電膜浸泡在導電材料腐蝕液中，裸露的導電材料將被清除；最后將上述結果再浸泡在去膠液中去膠，負性干膜被去除，導電材料裸露出來。

作為優選的技術方案，所述填充導電材料的方法為刮涂或噴墨打印。

有益效果

(1)?本發明所提供的雙面圖形化透明導電膜具有高分辨率，透過率和方阻獨立可調等諸多優點；這種透明導電膜可以省去一張PET的成本；

(2)本發明的制備方法對于單張柔性基材的雙面壓印不需要對準，方法簡單，成本低，適合于工業化生產。

附圖說明