[發明專利]一種利用SiN薄膜針孔形成局部摻雜或金屬化的方法

有效

• 申請號: 201210141797.8
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN102709335A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 蔡文浩
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種利用SiN薄膜針孔形成局部摻雜或金屬化的方法，其特征在于：包括以下工藝步驟：

第一步、背面制膜采用PECVD方法在P型硅背面沉積AlO_x或SiO₂薄膜，AlO_x或SiO₂薄膜表面沉積多孔的SiN薄膜，制得多孔、低密度或低質量的AlO_x/SiN或SiO₂/SiN疊層薄膜；

第二步、堿性溶液浸泡將硅片浸泡于堿性溶液中，形成SiN薄膜針孔；

第三步、局部摻雜或金屬化利用針孔實現局部硼摻雜形成n+層，或直接結合絲網印刷鋁漿的方法形成背面金屬接觸。

2.根據權利要求1所述的一種利用SiN薄膜針孔形成局部摻雜或金屬化的方法，其特征是：第一步中所述的PECVD方法中沉積溫度為25～250℃，功率密度為10～100mW/cm²，壓強為20～1000mtorr。

3.根據權利要求1或2所述的一種利用SiN薄膜針孔形成局部摻雜或金屬化的方法，其特征是：第一步中所述的AlO_x或SiO₂薄膜厚度范圍為10～50nm，SiN膜厚為50～100nm，SiN薄膜的針孔密度為1～9×10⁶/cm²。

4.根據權利要求1所述的一種利用SiN薄膜針孔形成局部摻雜或金屬化的方法，其特征是：第二步中所述的堿性溶液為KOH、NH₄OH或TMAH溶液，堿性溶液的體積濃度為5%～20%。

5.根據權利要求1或4所述的一種利用SiN薄膜針孔形成局部摻雜或金屬化的方法，其特征是：第二步中所述的浸泡溫度為25～40℃，浸泡時間為1～25min。

6.根據權利要求1或4所述的一種利用SiN薄膜針孔形成局部摻雜或金屬化的方法，其特征是：第二步中所述的SiN薄膜的針孔密度為1～9×10⁸/cm²，針孔孔徑為1～2μm。