[發明專利]制備全背電極太陽電池的方法

無效

• 申請號: 201210141790.6
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN102709386A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 袁聲召
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種制備全背電極太陽電池的方法，其特征是：在硅片背面制備二氧化硅層，對背面的二氧化硅層進行選擇性刻蝕，在沒有被二氧化硅層保護的裸露的區域通過磷擴散形成n+層，隨后在二氧化硅層和n+層上的需要金屬化的區域蒸鍍金屬鋁，在二氧化硅層上長有鋁的地方進行激光燒結，使鋁滲入Si中形成p+層，并形成歐姆觸。

2.根據權利要求1所述的制備全背電極太陽電池的方法，其特征是：具體實現步驟如下：

1)選取p型單晶硅片；

2)表面清洗，并進行正表面制絨；

3)干氧氧化，在硅片的雙面都制備上既用于掩模又用于鈍化的二氧化硅層；

4)用激光燒蝕工藝或刻蝕工藝去除需要形成n+層的區域的二氧化硅；

5)磷擴散；

6)使用掩模法在需要金屬化的區域蒸鍍上2-3μm厚的鋁；

7)FGA退火使n+區域與鋁形成歐姆接觸；

8)激光燒結形成在二氧化硅層上長有鋁的地方進行激光燒結，使鋁滲入Si中形成p+層以及p+層上的金屬化。

3.根據權利要求1所述的制備全背電極太陽電池的方法，其特征是：

步驟4中的激光燒蝕工藝具體為：在硅片背面進行激光開槽，去除需要形成n+層的區域的二氧化硅，用NaOH腐蝕去除激光引起的損傷層，其中NaOH的濃度為20-300g/L,腐蝕時間為1-30mins，溫度為室溫。