[發(fā)明專利]肖特基二極管的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210141590.0 | 申請日： | 2012-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN102655091A | 公開（公告）日： | 2012-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馮永浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州晟和微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩 |
| 地址： | 510380 廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 肖特基 二極管 制備 方法 | ||
1.一種肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
S1：在硅襯底上表面沉積多晶硅層；
S2：進行預(yù)設(shè)時間的高溫處理和退火處理，以實現(xiàn)在所述硅襯底和多晶硅層之間形成類外延層；
S3：去除表面的多晶硅層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S3之后還包括以下步驟：
S4：在所述類外延層上選擇性離子注入形成P+二極管區(qū)；
S5：進行初始氧化，并光刻形成氧化隔離區(qū)；
S6：在步驟S5的基礎(chǔ)上，進行上表面和下表面的淀積金屬，以形成低壓肖特基二極管。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述硅襯底為均勻摻雜高濃度N型介質(zhì)的硅片。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述N型介質(zhì)為磷。
5.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時間為10小時。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述高溫處理的溫度為1270°。
7.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中通過化學腐蝕的方法去除表面的多晶硅層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
