[發明專利]發光元件及其制作方法

有效

• 申請號: 201210141483.8
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN102881706A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 程志青
• 申請（專利權）人: 廣鎵光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/02;H01L33/38
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明是有關于一種發光元件及其制作方法，且特別是有關于一種半導體發光元件及其制作方法。

背景技術

隨著光電技術的進步，發光二極管(light-emitting?diode,LED)的制作與應用已逐漸趨于成熟。由于發光二極管具有低污染、低功率消耗、反應時間(response?time)短、使用壽命長等優點，因此其已逐漸被應用在各式光源或照明的領域，而取代熒光燈管、白熾燈泡或鹵素燈等傳統發光元件。由于世界各國的環保意識逐漸高漲，在未來，發光二極管更可望成為主要照明光源，而取代目前熒光燈管的地位。

為了避免發光二極管受到靜電放電(electrostatic?discharge)的損害，有的現有技術會在組裝光源裝置時將發光二極管與穩壓二極管(Zener?diode,ZD)連接，也即采用穩壓二極管來作為靜電放電保護元件。然而，由于在組裝光源裝置時才將發光二極管與穩壓二極管連接，因此發光二極管在包裝、運送、固晶與打線的過程中都沒有受到靜電放電保護元件的保護。如此一來，容易使發光二極管受到靜電放電損害的機率上升。

因此，另一種現有技術則是將發光二極管與靜電放電保護元件作在同一片芯片上，此現有技術雖可降低發光二極管受到靜電放電損害的機率，卻因為靜電放電保護元件占據了芯片的基板上的一部分面積，而導致發光二極管所占據的面積下降。如此一來，發光二極管的發光面積也會下降，進而使發光二極管的效能降低。

發明內容

本發明提供一種發光元件，此發光元件具有較佳的發光效能，且較不易受到靜電放電的損害。

本發明提供一種發光元件的制作方法，可有效提升發光元件的發光效能，且同時保護發光元件不受到靜電放電的損害。

本發明的一實施例提供一種發光元件，包括基板、發光結構區域、靜電放電保護結構區域、溝槽、導電層、第一電極及第二電極。發光結構區域形成在基板上，且包含第一半導體層、發光層及第二半導體層。靜電放電保護結構區域形成在基板上，且包含第三半導體層、主動層(active?layer)及第四半導體層。溝槽形成在發光結構區域與靜電放電保護結構區域之間。導電層配置在溝槽上，且連接發光結構區域與靜電放電保護結構區域。第一電極形成在靜電放電保護結構區域上，并覆蓋至少部分靜電放電保護結構區域。第二電極形成在發光結構區域上，且第二電極不延伸至靜電放電保護結構區域上。

本發明的另一實施例提供一種發光元件，包括基板、發光結構區域、靜電放電保護結構區域、溝槽、導電層及第一電極。發光結構區域形成在基板上，且包含第一半導體層、發光層及第二半導體層。靜電放電保護結構區域形成在基板上，且包含第三半導體層、主動層及第四半導體層。溝槽形成在發光結構區域與靜電放電保護區域之間。導電層配置在溝槽上，且連接發光結構區域與靜電放電保護結構區域。第一電極形成在靜電放電保護結構區域上，且覆蓋部分導電層。

本發明的又一實施例提供一種發光元件的制作方法，包括下列步驟。提供基板。在基板上依序形成第一半導體層、主動層及第二半導體層。將第一半導體層、主動層及第二半導體層所構成的半導體堆疊結構分割成彼此分離的至少一發光結構區域及至少一靜電放電保護結構區域。其中發光結構區域面積大于該靜電放電保護結構區域面積。蝕刻部分發光結構區域及部分靜電放電保護結構區域，以使靜電放電保護結構區域的第一半導體層形成相連接的第一平臺部及第一下陷部，且使發光結構區域的第一半導體層形成相連接的第二平臺部及第二下陷部，其中第一平臺部的厚度大于第一下陷部的厚度，且第二平臺部的厚度大于第二下陷部的厚度。形成第一絕緣層，其中第一絕緣層覆蓋發光結構區域的部分第二半導體層及部分第二下陷部。在第一絕緣層上形成導電層，且使導電層電性連接發光結構區域的第二半導體層與靜電放電保護結構區域的第一半導體層，其中第一絕緣層分隔發光結構區域的第一半導體層與導電層，且分隔發光結構區域的主動層與導電層。形成第二絕緣層，其中第二絕緣層覆蓋靜電放電保護結構區域的部分第二半導體層及至少部分第一下陷部。在第二絕緣層上形成第一電極，并使第一電極電性連接發光結構區域的第一半導體層與靜電放電保護結構區域的第二半導體層，其中第二絕緣層分隔導電層與第一電極，分隔靜電放電保護結構區域的第一半導體層與第一電極，且分隔靜電放電保護結構區域的主動層與第一電極。第一電極覆蓋靜電放電保護結構區域的至少部分第二半導體層及至少部分第一下陷部。