[發(fā)明專利]制造絕緣柵極半導(dǎo)體裝置的方法及結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210141165.1
• 申請(qǐng)日: 2012-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN102856182A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·A·伯克;G·M·格里瓦納;B·帕德瑪納伯翰;P·溫卡特拉曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種用于形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟：

提供具有主表面的半導(dǎo)體材料區(qū)域；

形成從所述主表面延伸的溝槽；

上覆于所述溝槽的表面形成第一層；

相鄰于所述第一層形成間隔層，其中所述間隔層包含不同于所述第一層的材料；

在鄰近所述溝槽的下表面處形成第一區(qū)域，所述第一區(qū)域包含不同于所述間隔層的材料；

在所述溝槽的下部分且相鄰于所述間隔層及所述第一區(qū)域的若干部分中形成第一電極；其中所述第一層的若干部分介于所述第一電極與所述半導(dǎo)體材料區(qū)域之間；

在所述第一電極上方形成電介質(zhì)層；以及

相鄰于所述第一層及所述電介質(zhì)層形成第二電極，其中所述第二電極的至少一部分位于所述溝槽內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：

鄰接所述溝槽形成主體區(qū)域；以及

鄰接所述主體區(qū)域及所述溝槽形成源極區(qū)域，其中所述形成所述第一層的步驟包括：形成柵極電介質(zhì)層，且其中所述形成所述第一電極的步驟包括：形成屏蔽電極，且其中所述形成所述第二電極的步驟包括：形成柵極電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述間隔層的步驟包括以下步驟：

相鄰于所述第一層形成第三層；以及

去除所述第三層的鄰近所述溝槽的所述下表面處的部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：在所述去除所述第三層的部分的步驟之前，上覆于所述主表面且相鄰于所述第三層形成非共形層，且其中所述非共形層在鄰近所述溝槽的上表面處較厚。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：在所述形成所述第一區(qū)域的步驟之前，去除所述第一層的在所述間隔層下面的若干部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述第一層的步驟包括：形成包含氧化硅的第一層，且其中所述形成所述第一區(qū)域的步驟包括：形成包含氧化硅的所述第一區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述形成所述間隔層的步驟包括：形成包含氮化硅的所述間隔層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：在所述形成所述第一區(qū)域的步驟之前，相鄰于所述間隔層形成多晶半導(dǎo)體間隔層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述源極區(qū)域的步驟包括：形成源極區(qū)域，所述源極區(qū)域具有鄰接所述溝槽的延伸部分及鄰接所述延伸部分的中心部分，其中所述中心部分比所述延伸部分淺。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述第一區(qū)域的步驟包括：形成具有沿著所述溝槽的下側(cè)壁表面增大的厚度的所述第一區(qū)域，其中所述厚度在鄰近所述溝槽的最下部分處最大。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述第一電極的步驟包括：形成具有階梯狀的所述第一電極。

12.一種用于形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟：

提供具有主表面的半導(dǎo)體材料區(qū)域；

形成從所述主表面延伸的溝槽，其中所述溝槽具有側(cè)壁表面及下表面；

鄰接所述側(cè)壁表面及所述下表面形成第一電介質(zhì)層；

相鄰于所述柵極電介質(zhì)層形成第一間隔層且將所述柵極電介質(zhì)層的鄰近所述下表面的區(qū)段保留為曝露；

從所述下表面去除所述第一電介質(zhì)層相鄰于所述第一間隔層及所述半導(dǎo)體材料區(qū)域的若干部分；

鄰接所述下表面形成第一電介質(zhì)區(qū)域，其中所述第一電介質(zhì)層比所述柵極電介質(zhì)層厚；

相鄰于所述間隔層形成第二電介質(zhì)層；

相鄰于所述第一電介質(zhì)區(qū)域及所述第二電介質(zhì)層形成第一導(dǎo)電區(qū)域；

相鄰于所述第一電極的上表面形成第二電介質(zhì)區(qū)域；

去除所述第二電介質(zhì)層及所述間隔層相鄰于所述溝槽的若干上部分的若干部分；以及

相鄰于所述第一電介質(zhì)層及所述第二電介質(zhì)區(qū)域形成第二導(dǎo)電區(qū)域。