[發明專利]單芯片倒裝先蝕刻后封裝無基島封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210140805.7
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN102856292A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;C25D7/12
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝無基島封裝結構，其特征在于：它包括引腳（1）和芯片（2），所述芯片（2）倒裝于引腳（1）正面，所述芯片（2）底部與引腳（1）正面之間設置有底部填充膠（13），所述引腳（1）外圍的區域、引腳（1）與引腳（1）之間的區域、引腳（1）上部和引腳（1）下部的區域以及芯片（2）外均包封有塑封料（3），所述引腳（1）下部的塑封料（3）表面上開設有小孔（4），所述小孔（4）與引腳（1）背面相連通，所述小孔（4）內設置有金屬球（6），所述金屬球（6）與引腳（1）背面相接觸。

2.一種如權利要求1所述的單芯片倒裝先蝕刻后封裝無基島封裝結構的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍銅材

在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜，

步驟三、貼光阻膜作業

利用貼光阻膜設備在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面進行光阻膜的被覆，

步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟三完成貼膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板背面后續需要進行電鍍的圖形區域，

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

將金屬基板背面已完成開窗的圖形區域電鍍上惰性金屬線路層，?

步驟六，電鍍高導電金屬層

在惰性金屬線路層表面進行高導電金屬層的電鍍，?

步驟七，去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟八、預包封

在金屬基板背面進行塑封料的預包封，?

步驟九、塑封料表面開孔

在步驟八完成預包封的塑封料表面進行后續要植金屬球區域的開孔作業，?

步驟十、貼光阻膜作業

在金屬基板正面及背面被覆光阻膜，

步驟十一、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備在步驟十完成貼光阻膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板正面后續需要進行化學蝕刻的圖形區域，

步驟十二、化學蝕刻

將步驟十一金屬基板正面完成開窗的圖形區域進行化學蝕刻，

步驟十三、電鍍金屬層

在步驟十二完成化學蝕刻后露出的惰性金屬線路層上進行金屬層的電鍍，在金屬基板正面相對形成引腳，

步驟十四、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟十五、裝片及芯片底部填充

在步驟十三相對形成的引腳正面倒裝上芯片及芯片底部填充環氧樹脂，

步驟十六、包封

在完成芯片倒裝及芯片底部填充后的金屬基板正面進行塑封料的包封，?

步驟十七、清洗

對金屬基板背面塑封料開孔處進行清洗，

步驟十八、植球

在步驟十七經過清洗的小孔內植入金屬球，?

步驟十九、切割成品

將步驟十八完成植球的半成品進行切割作業，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單芯片倒裝先蝕刻后封裝無基島封裝結構成品。

3.根據權利要求2所述的一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝無基島封裝結構的制造方法，其特征在于：所述引腳（1）與引腳（1）之間跨接無源器件（7），所述無源器件（7）跨接于引腳（1）正面與引腳（1）正面之間或跨接于引腳（1）背面與引腳（1）背面之間。

4.根據權利要求2或3所述的一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝無基島封裝結構的制造方法，其特征在于：所述引腳（1）有多圈。

5.根據權利要求2所述的一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝無基島封裝結構的制造方法，其特征在于：所述步驟十七對金屬基板背面塑封料開孔處進行清洗同時進行金屬保護層被覆。

6.根據權利要求1所述的一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝無基島封裝結構，其特征在于：所述引腳（1）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。