[發(fā)明專利]多芯片正裝先蝕刻后封裝無基島封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210140803.8
• 申請(qǐng)日: 2012-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN102856291A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種多芯片正裝先蝕刻后封裝無基島封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括引腳（1），所述引腳（1）正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)（2）設(shè)置有多個(gè)芯片（3），所述多個(gè)芯片（3）正面與引腳（1）正面之間用金屬線（4）相連接，所述引腳（1）與引腳（1）之間的區(qū)域、引腳（1）上部的區(qū)域、引腳（1）下部的區(qū)域以及芯片（3）和金屬線（4）外均包封有塑封料（5），所述引腳（1）背面的塑封料（5）上開設(shè)有小孔（6），所述小孔（6）與引腳（1）背面相連通，所述小孔（6）內(nèi)設(shè)置有金屬球（8），所述金屬球（8）與引腳（1）背面相接觸。

2.一種如權(quán)利要求1所述的多芯片正裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅

在金屬基板表面鍍一層銅材薄膜；

步驟三、貼光阻膜作業(yè)

在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；

步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形；

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上惰性金屬線路層；

步驟六、電鍍金屬線路層

在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層；

步驟七、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟八、包封

將步驟七中的金屬基板背面采用塑封料進(jìn)行塑封；

步驟九、塑封料表面開孔

在金屬基板背面預(yù)包封塑封料的表面進(jìn)行需要后續(xù)植金屬球的區(qū)域進(jìn)行開孔；

步驟十、貼光阻膜作業(yè)

在完成開孔的金屬基板的正面以及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；

步驟十一、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設(shè)備將步驟十完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行化學(xué)蝕刻的區(qū)域圖形；

步驟十二、化學(xué)蝕刻

將步驟十一中完成曝光顯影的區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻；

步驟十三、電鍍金屬線路層

在惰性金屬線路層表面鍍上單層或是多層的金屬線路層，金屬電鍍完成后即在金屬基板上形成相應(yīng)的引腳；

步驟十四、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟十五、涂覆粘結(jié)物質(zhì)

在步驟十三形成的引腳表面涂覆導(dǎo)電或是不導(dǎo)電的粘結(jié)物質(zhì)；

步驟十六、裝片

在步驟十五的引腳上植入芯片；

步驟十七、金屬線鍵合

在芯片正面與引腳正面之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)；

步驟十八、包封

將完成裝片打線后的金屬基板正面進(jìn)行塑封料包封工序；

步驟十九、清洗

在金屬基板背面塑封料開孔處進(jìn)行氧化物質(zhì)、油脂物質(zhì)的清洗；

步驟二十、植球

在金屬基板背面塑封體開孔處內(nèi)植入金屬球，使金屬球與引腳背面相接觸；

步驟二十一、切割成品

將步驟二十完成植球的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開來，制得多芯片正裝先蝕刻后封裝無基島封裝結(jié)構(gòu)，可采用常規(guī)的鉆石刀片以及常規(guī)的切割設(shè)備即可。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多芯片正裝先蝕刻后封裝無基島封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述引腳（1）與引腳（1）之間跨接有無源器件（9），所述無源器件（9）跨接于引腳（1）正面與引腳（1）正面之間或跨接于引腳（1）背面與引腳（1）背面之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2~3其中之一所述的一種多芯片正裝先蝕刻后封裝無基島封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于所述引腳（1）有多圈。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多芯片正裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟十七中在芯片（3）正面與芯片（3）正面之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多芯片正裝先蝕刻后封裝無基島封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟十九對(duì)金屬基板背面塑封料開孔處進(jìn)行清洗同時(shí)進(jìn)行金屬保護(hù)層被覆。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多芯片正裝先蝕刻后封裝無基島封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述引腳（1）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。