[發明專利]多芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210140794.2
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN102867791A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/50
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種多芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構，其特征在于它包括基島（1）、引腳（2）和芯片（3），所述芯片（3）有多個，所述多個芯片（3）倒裝于基島（1）正面和引腳（2）正面，所述多個芯片（3）底部與基島（1）正面和引腳（2）正面之間設置有底部填充膠（14），所述基島（1）外圍的區域、基島（1）和引腳（2）之間的區域、引腳（2）與引腳（2）之間的區域、基島（1）和引腳（2）上部的區域、基島（1）和引腳（2）下部的區域以及芯片（3）的外圍均包封有塑封料（4），所述引腳（2）背面的塑封料（4）上開設有小孔（5），所述小孔（5）與引腳（2）背面相連通，所述小孔（5）內設置有金屬球（7），所述金屬球（7）與引腳（2）背面相接觸。

2.一種如權利要求1所述的多芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構的制作方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍銅

在金屬基板表面鍍一層銅材薄膜；

步驟三、貼光阻膜作業

在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟三完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續需要進行電鍍的區域圖形；

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區域內電鍍上惰性金屬線路層；

步驟六、電鍍金屬線路層

在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層；

步驟七、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟八、包封

將步驟七中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封；

步驟九、塑封料表面開孔

在金屬基板背面預包封塑封料的表面進行需要后續植金屬球的區域進行開孔；

步驟十、貼光阻膜作業

在完成開孔的金屬基板的正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟十一、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟十完成貼光阻膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續需要進行化學蝕刻的區域圖形；

步驟十二、化學蝕刻

將步驟十一中完成曝光顯影的區域進行化學蝕刻；

步驟十三、電鍍金屬線路層

在惰性金屬線路層表面鍍上單層或是多層的金屬線路層，金屬電鍍完成后即在金屬基板上形成相應的基島和引腳；

步驟十四、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟十五、裝片及芯片底部填充

在步驟十三的基島正面和引腳正面倒裝多個芯片并在芯片底部填充環氧樹脂；

步驟十六、包封

將完成芯片倒裝的金屬基板正面進行塑封料包封工序；

步驟十七、清洗

在金屬基板背面塑封料開孔處進行氧化物質、油脂物質的清洗；

步驟十八、植球

在金屬基板背面塑封體開孔處內植入金屬球，使金屬球與引腳背面相接觸；

步驟十九、切割成品

將步驟十八完成植球的半成品進行切割作業，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得多芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構，可采用常規的鉆石刀片以及常規的切割設備即可。

3.根據權利要求2所述的一種多芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構的制作方法，其特征在于：所述引腳（2）與引腳（2）之間跨接有無源器件（8），所述無源器件（8）跨接于引腳（2）正面與引腳（2）正面之間或跨接于引腳（2）背面與引腳（2）背面之間。

4.根據權利要求2~4其中之一所述的一種多芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構的制作方法，其特征在于：所述引腳（2）有多圈。

5.根據權利要求2所述的一種多芯片倒裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構的制作方法，其特征在于：所述步驟十七對金屬基板背面塑封料開孔處進行清洗同時進行金屬保護層被覆。

6.根據權利要求2所述的一種單芯片正裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構的制作方法，其特征在于：所述基島（1）有多個。