[發(fā)明專利]單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島露出封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210140791.9
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN102856289A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;C25D7/12
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島露出封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括基島（1）、引腳（2）和芯片（3），所述芯片（3）倒裝于基島（1）和引腳（2）正面，所述芯片（3）底部與基島（1）和引腳（2）正面之間設(shè)置有底部填充膠（14），所述基島（1）外圍的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）之間的區(qū)域、引腳（2）與引腳（2）之間的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）上部的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）下部的區(qū)域以及芯片（3）外均包封有塑封料（4），所述基島（1）和引腳（2）下部的塑封料（4）表面上開設(shè)有小孔（5），所述小孔（5）與基島（1）或引腳（2）背面相連通，所述小孔（5）內(nèi)設(shè)置有金屬球（7），所述金屬球（7）與基島（1）或引腳（2）背面相接觸。

2.一種如權(quán)利要求1所述的單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島露出封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材

在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜，

步驟三、貼光阻膜作業(yè)

利用貼光阻膜設(shè)備在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膜的被覆，

步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設(shè)備在步驟三完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的圖形區(qū)域，

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

將金屬基板背面已完成開窗的圖形區(qū)域電鍍上惰性金屬線路層，?

步驟六，電鍍高導(dǎo)電金屬層

在惰性金屬線路層表面進(jìn)行高導(dǎo)電金屬層的電鍍，?

步驟七，去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟八、預(yù)包封

在金屬基板背面進(jìn)行塑封料的預(yù)包封，?

步驟九、塑封料表面開孔

在步驟八完成預(yù)包封的塑封料表面進(jìn)行后續(xù)要植金屬球區(qū)域的開孔作業(yè)，?

步驟十、貼光阻膜作業(yè)

在金屬基板正面及背面被覆光阻膜，

步驟十一、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設(shè)備在步驟十完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影以及開窗，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行化學(xué)蝕刻的圖形區(qū)域，

步驟十二、化學(xué)蝕刻

將步驟十一金屬基板正面完成開窗的圖形區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻，

步驟十三、電鍍金屬層

在步驟十二完成化學(xué)蝕刻后露出的惰性金屬線路層上進(jìn)行金屬層的電鍍，在金屬基板正面相對形成基島和引腳，

步驟十四、去除金屬基板表面光阻膜

將金屬基板表面的光阻膜去除，?

步驟十五、裝片及芯片底部填充

在步驟十三相對形成的基島和引腳正面倒裝上芯片及芯片底部填充環(huán)氧樹脂，

步驟十六、包封

在完成芯片倒裝及芯片底部填充后的金屬基板正面進(jìn)行塑封料的包封，?

步驟十七、清洗

對金屬基板背面塑封料開孔處進(jìn)行清洗，

步驟十八、植球

在步驟十七經(jīng)過清洗的小孔內(nèi)植入金屬球，?

步驟十九、切割成品

將步驟十八完成植球的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島露出封裝結(jié)構(gòu)成品。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島露出封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述引腳（2）與引腳（2）之間跨接無源器件（8），所述無源器件（8）跨接于引腳（2）正面與引腳（2）正面之間或跨接于引腳（2）背面與引腳（2）背面之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島露出封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述引腳（2）有多圈。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島露出封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述步驟十七對金屬基板背面塑封料開孔處進(jìn)行清洗同時進(jìn)行金屬保護(hù)層被覆。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單芯片倒裝先蝕刻后封裝基島露出封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述基島（1）有多個。